Дмитриев, М.В.(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 1998)
Приводятся подтвержденные экспериментом расчеты диэлектрических потерь в стеклокерамике и в ее компонентах для широкого диапазона соотношений «стекло : наполнитель : поры».
Дмитриев, М.В.(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 1998)
Приводятся подтвержденные экспериментом расчеты электросопротивления стеклокерамики и ее компонентов для широкого диапазона соотношений «стекло : наполнитель : поры».
Гаркавенко, А.С.(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2000)
Доказывается возможность создания эффективных излучающих диодов на основе полупроводников типа A₂B₆, использующих барьер Шоттки. Известные преимущества высокого квантового выхода таких полупроводников не реализованы из-за ...
Дмитриев, М.В.(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 1998)
Предложен метод расчета объемных долей и электросопротивления стекла, наполнителя, кристаллической фазы и пор, определяющих электросопротивление стеклокерамики.