Електропровідність, міцність та морфометрія алмазу, кристалізованого в системі Ni-B-Ti-C

Abstract

Представлено результати дослідження процесу кристалізації алмазних порошків у системі Nі-В-Ті-С та вплив зміни співвідношення компонент шихти на їхні властивості. Введення в систему бору у поєднанні з титаном дозволяє знизити електроопір алмазних порошків з 10¹² до 10⁶ Ом-см. При цьому показник міцності та морфометричні характеристики змінюються несуттєво.

Представлены результаты исследования процесса кристаллизации алмазных порошков в системе Ni-B-Ti-C и влияния изменения соотношения компонент шихты на их свойства. Введение в систему бора в сочетании с титаном позволяет снизить электросопротивление алмазных порошков с 10¹² до 10⁶ Ом-см. При этом показатель прочности и морфометрические характеристики изменяются незначительно.

The results of the study of the diamond powders crystallization process in the Ni-B-Ti-C system and the results of the study impact of changing the ratio of components on diamond powders properties are presented in this article. The introduction of boron and titanium in the charge reduces the electrical resistance of diamond powders from 10¹² to 10⁶ Ohm cm. The strength index and morphometric characteristics -vary slightly.