Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Богод, Ю.А. |
|
dc.date.accessioned |
2018-06-20T05:17:15Z |
|
dc.date.available |
2018-06-20T05:17:15Z |
|
dc.date.issued |
1999 |
|
dc.identifier.citation |
Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле / Ю.А. Богод // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 11. — С. 1203-1210. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
0132-6414 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139327 |
|
dc.description.abstract |
В сильних схрещених електричному Е і магнітному Н полях, в режимі генерації фононів, досліджено напругу монокристала Ві в напрямку [ExH] (поперечна напруга Е± ). Одержано інформацію про акустоерс вісмуту Еₑᵃ, яка формує на вольт-амперних j-E± характеристиках ділянки з від’ємною диференційною провідністю. Акустоерс вимірювалась як абсолютна величина різниці між поперечними напругами до і після переходу зразка до режиму генерації фононів. Знайдено, що залежність акустоэрс від квантуючого магнітного поля не є монотонною. Це пов’язується з ос-циляціями в магнітному полі швидкості електрон-фононної генерації dN^/dt, тобто з осциляціями частоти фонон-електронних Зіткнень Тₚₑ⁻¹. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
В сильных скрещенных электрическом Е и магнитном Н полях, в режиме генерации фононов, исследовалось напряжение монокристалла Bi в направлении |ExH| (поперечное напряжение Е±). Получена информация об электронной акустоэдс висмута Eₑᵃ, формирующей на вольт-амперных j-Е± характеристиках участки с отрицательной дифференциальной проводимостью. Акустоэдс измерялась как абсолютная величина разности поперечных напряжений до и после перехода образца в режим генерации фононов. Обнаружено, что зависимость акустоэдс от квантующего магнитного поля немонотонна. Это связывается с осцилляциями в магнитном поле скорости электрон-фононной генерации dN^/dt, т.е. с осцилляциями частоты фонон-электронных столкновений tₚₑ⁻¹. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
The voltage of single crystal Bi is investigated in the direction [ExH] (E± is the transverse voltage) in strong crossed electric E and magnetic II fields under the condition of phonon generation. The information has been derived about the electronic acousto-emf Eₑᵃ of Bi responsible for the regions of negative differential conductivity in the current-voltage characteristics j-E± . The acousto-emf is measured as an absolute value of the transverse voltage difference before and after the sample changes into the phonon generation condition. The dependence of the acousto-emf upon the quantizing magnetic field is found to be nonmonotonous. This is attributed to the oscillation of the electron-phonon generation rate dN^/dt in the magnetic field, or, in other words, to the oscillations of the phonon-electron collision frequency tₚₑ⁻¹. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Физика низких температур |
|
dc.subject |
Электpонные свойства металлов и сплавов |
uk_UA |
dc.title |
Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Generation of nonequilibrium phonons in bismuth in the quantizing magnetic field |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті