Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Богод, Ю.А.
dc.date.accessioned 2018-06-20T05:17:15Z
dc.date.available 2018-06-20T05:17:15Z
dc.date.issued 1999
dc.identifier.citation Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле / Ю.А. Богод // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 11. — С. 1203-1210. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 0132-6414
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139327
dc.description.abstract В сильних схрещених електричному Е і магнітному Н полях, в режимі генерації фононів, досліджено напругу монокристала Ві в напрямку [ExH] (поперечна напруга Е± ). Одержано інформацію про акустоерс вісмуту Еₑᵃ, яка формує на вольт-амперних j-E± характеристиках ділянки з від’ємною диференційною провідністю. Акустоерс вимірювалась як абсолютна величина різниці між поперечними напругами до і після переходу зразка до режиму генерації фононів. Знайдено, що залежність акустоэрс від квантуючого магнітного поля не є монотонною. Це пов’язується з ос-циляціями в магнітному полі швидкості електрон-фононної генерації dN^/dt, тобто з осциляціями частоти фонон-електронних Зіткнень Тₚₑ⁻¹. uk_UA
dc.description.abstract В сильных скрещенных электрическом Е и магнитном Н полях, в режиме генерации фононов, исследовалось напряжение монокристалла Bi в направлении |ExH| (поперечное напряжение Е±). Получена информация об электронной акустоэдс висмута Eₑᵃ, формирующей на вольт-амперных j-Е± характеристиках участки с отрицательной дифференциальной проводимостью. Акустоэдс измерялась как абсолютная величина разности поперечных напряжений до и после перехода образца в режим генерации фононов. Обнаружено, что зависимость акустоэдс от квантующего магнитного поля немонотонна. Это связывается с осцилляциями в магнитном поле скорости электрон-фононной генерации dN^/dt, т.е. с осцилляциями частоты фонон-электронных столкновений tₚₑ⁻¹. uk_UA
dc.description.abstract The voltage of single crystal Bi is investigated in the direction [ExH] (E± is the transverse voltage) in strong crossed electric E and magnetic II fields under the condition of phonon generation. The information has been derived about the electronic acousto-emf Eₑᵃ of Bi responsible for the regions of negative differential conductivity in the current-voltage characteristics j-E± . The acousto-emf is measured as an absolute value of the transverse voltage difference before and after the sample changes into the phonon generation condition. The dependence of the acousto-emf upon the quantizing magnetic field is found to be nonmonotonous. This is attributed to the oscillation of the electron-phonon generation rate dN^/dt in the magnetic field, or, in other words, to the oscillations of the phonon-electron collision frequency tₚₑ⁻¹. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Физика низких температур
dc.subject Электpонные свойства металлов и сплавов uk_UA
dc.title Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле uk_UA
dc.title.alternative Generation of nonequilibrium phonons in bismuth in the quantizing magnetic field uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис