О возможной причине наблюдаемой анизотропии сверхпроводящих свойств слабо допированных купратов

Abstract

Делается попытка интерпретации экспериментов, в которых установлено, что температура сверхпроводящего перехода в ВТСП с пониженным содержанием кислорода зависит от направления протекающего по образцу электрического тока. Высказывается предположение, что одна из температур (большая) отвечает точке TBKT2D перехода, а другая - температуре Tc установления 3D когерентности между слоями. Для условий, когда Tc ≥ TBKT (относительно высокие концентрация носителей и величина межслоевой связи), анизотропия сверхпроводящих свойств становится несущественной и слоистая система обладает лишь одной критической температурой.

Робиться спроба інтерпретації експериментів, в яких визначено, що температура надпровідного переходу в високотемпературних надпровідниках із зниженим вмістом кисню залежить від напрямку електричного струму, що тече по зразку. Висловлюється припущення, що одна із температур (більша) відповідає точці TBKT2D переходу, а інша — температурі Тc встановлення 3D когерентності між шарами. Для умов, коли Тс >ТBKT (відносно високі концентрація носіїв і величина міжшарового зв’язку), анізотропія надпровідних властивостей стає несуттєвою і шарова система має лише одну критичну температуру.

An attempt is made to interpret the experiments where the temperature of superconducting transition in underdoped HTSC was found to depend on the direction of current through the sample. It is suggested that one (higher) temperature corresponds to the point TBKT of the 2D transition and another — to the 3D ordering temperature where all layers have a coherent condensate. For the conditions when Tc > TBKT (relatively high carrier concentrations and interlayer coupling values) the anisotropy of superconducting properties becomes negligible and the layered system possesses only one critical temperature.