Рассмотрены схемные решения мощных высоковольтных генераторов с полупроводниковыми коммутаторами в виде IGBT-транзисторов и SOS-диодов. Для увеличения кпд и упрощения конструкции предложено использовать в разрядном контуре генератора с SOS-диодами как высоковольтную, так и низковольтную цепи импульсного трансформатора. Предложена схема такого генератора высоковольтных импульсов с наносекундным фронтом. Отличием предложенного генератора с наносекундным фронтом, высокой частотой следования импульсов, с использованием в разрядном контуре высоковольтных и низковольтных цепей является наличие в его составе линейного импульсного трансформатора.
Розглянуто схемні рішення потужних високовольтних генераторів з напівпровідниковими комутаторами у вигляді IGBT-транзисторів і SOS-діодів. Для підвищення ККД і спрощення конструкції запропоновано використати у розрядному контурі генератора із SOS-діодами як високовольтне, так і низьковольтне кола імпульсного трансформатора. Запропоновано схему такого генератора високовольтних імпульсів з наносекундним фронтом. Відмінністю запропонованого генератора з наносекундним фронтом, високою частотою проходження імпульсів, з використанням у розрядному контурі високовольтних і низьковольтних кіл є наявність у його складі лінійного імпульсного трансформатора.
There were considered schemes of powerful high-voltage generators with semiconductor switches in the form of IGBTtransistors and SOS- diodes. It is proposed to use in the discharge circuit of the generator with SOS-diodes as a highvoltage well as low-voltage circuit of pulsed transformer to increase the efficiency and simplify the design. A scheme of the high-voltage pulse generator with a nanosecond front was proposed. The presence of linear pulse transformer in structure of the proposed generator with nanosecond front, high pulse repetition rate, an use in a discharge circuit high and low voltage circuits are its difference.
