Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізико-технічних проблем матеріалознавства
→
Functional Materials
→
Functional Materials, 2011, том 18
→
Functional Materials, 2011, № 4
→
Переглянути статтю

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon

Zaitsev, R.V. ; Kopach, V.R. ; Kirichenko, M.V. ; Doroshenko, A.N. ; Khrypunov, G.S.

Інші назви: Залежність часу життя неосновних носіїв заряду від типу та концентрації точкових дефектів у монокристалічному кремнії

Тема: Modeling and simulation

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135592

Посилання: Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon / R.V. Zaitsev, V.R. Kopach, M.V. Kirichenko, A.N. Doroshenko, G.S. Khrypunov // Functional Materials. — 2011. — Т. 18, № 4. — С. 497-503. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Дата: 2011

Завантажень: 314