The solubility region of Ga in PbTe films prepared on Si-substrates by modified "hot wall" technique

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізико-технічних проблем матеріалознавства
→
Functional Materials
→
Functional Materials, 2011, том 18
→
Functional Materials, 2011, № 2
→
Переглянути статтю

The solubility region of Ga in PbTe films prepared on Si-substrates by modified "hot wall" technique

Samoylov, A.M. ; Belenko, S.V. ; Dolgopolova, E.A. ; Khoviv, A.M. ; Synorov, Y.V.

Інші назви: Розчинність Ga у плівках PbTe, вирощених на кремнієвих підкладках за допомогою модифікованого методу "гарачої стінки"

Тема: Characterization and properties

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135452

Посилання: The solubility region of Ga in PbTe films prepared on Si-substrates by modified "hot wall" technique / A.M. Samoylov, S.V. Belenko, E.A. Dolgopolova, A.M. Khoviv, Y.V. Synorov // Functional Materials. — 2011. — Т. 18, № 2. — С. 181-188. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Дата: 2011

Завантажень: 297