Ohmic and space-sнarge limited conductivity іn dihydrodibenzotetraaza[14]annulene thin films

Abstract

The electrophysical properties of thermally deposited thin films of dihydrodibenzotetraaza[14]-annulene were investigated applying ohmic gold electrodes to them. The volt-ampere characteristic of planar thin films symmetric structure Au – dihydrodibenzotetraaza[14]annulene – Au under dark condition was measured. The direct current conductivity in this structure at room temperature and at a small applied voltage was ohmic, carried out by thermally generated carriers, and the conductivity, limited by space charges carried out by the injected carriers, was observed at a higher applied voltage. The transition from ohmic conductivity to conductivity limited by space charges occurred at an electric field strength in a thin film of Е ~ 4 × 10⁴ V/m.

Исследовали электрофизические свойства термически нанесенных тонких пленок дигидродибензотетрааза[14]аннулена с использованием золотых омических контактов к ним. Измеряли темновую вольт-амперную характеристику планарной тонкопленочной структуры Au – дигидродибензотетрааза[ 14]аннулен – Au. Проводимость в этой структуре на постоянном токе при комнатной температуре и при небольшом приложенном напряжении была омической, осуществляемой термически генерированными носителями, а при более высоком приложенном напряжении наблюдалась проводимость, ограниченная пространственными зарядами, осуществляемая инжектированными носителями. Переход от омической проводимости к проводимости, ограниченной пространственными зарядами, происходил при напряженности электрического поля в тонкой пленке Е ~ 4 × 10⁴ В/м.

Досліджували електрофізичні властивості нанесених термічним методом тонких плівок дигідродибензотетрааза[14]анулену з використанням золотих омічних контактів до них. Вимірювали темнову вольт-амперну характеристику планарної тонкоплівкової структури Au – дигідродибензотетрааза[14]анулен – Au. Провідність в цій структурі на постійному струмі при кімнатній температурі і невеликій прикладеній напрузі була омічною, що забезпечувалась термічно генерованими носіями, а при більш високій прикладеній напрузі спостерігали провідність, обмежену просторовими зарядами, що забезпечувалась інжектованими носіями. Перехід від омічної провідності до провідності, обмеженої просторовими зарядами, відбувався при напруженості електричного поля в плівці Е ~ 4 × 10⁴ В/м.