Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Иванов, А.И.
dc.contributor.author Лукьянов, А.Н.
dc.contributor.author Мерисов, Б.А.
dc.contributor.author Сологубенко, А.В.
dc.contributor.author Хаджай, Г.Я.
dc.date.accessioned 2018-02-10T09:57:25Z
dc.date.available 2018-02-10T09:57:25Z
dc.date.issued 2002
dc.identifier.citation Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации / А.И. Иванов, А.Н. Лукьянов, Б.А. Мерисов, А.В. Сологубенко, Г.Я. Хаджай // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 6. — С. 648-652. — Бібліогр.: 13 назв. — роc. uk_UA
dc.identifier.issn 0132-6414
dc.identifier.other PACS: 66.60.+a
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130279
dc.description.abstract В интервале темпеpатуp 2-300 К проведено сравнительное исследование теплопроводности образцов монокpисталла GaAs, полученных в земных условиях и аналогичным способом в условиях микрогравитации на пилотируемой станции "Мир". Обнаружено, что тепло в образцах переносится фононами. Проведена согласованная обработка температурных зависимостей теплопроводности "земного" и "космического" образцов в рамках дебаевской модели фононного спектра с учетом граничного и резонансного рассеяний, а также рассеяния на "плоских дефектах" и фонон-фононных U-процессов. Различие в зависимостях теплопроводности "космического" и "земного" образцов связано с наличием в "земном" образце избыточного мышьяка, который обусловливает как резонансное рассеяние, так и рассеяние на "плоских дефектах", в качестве последних могут быть кластеры атомов мышьяка. uk_UA
dc.description.abstract В iнтервалi темпеpатуp 2–300 К проведено порiвняльне дослiдження теплопровiдностi зразкiв монокристалa GaAs, отриманих у земних умовах та аналогiчним способом в умовах мiкрогравiтацiї на пiлотованiй станцiї «Мир». Виявлено, що тепло у зразках переноситься фононами. Проведено узгоджену обробку температурних залежностей теплопровiдностi «земного» та «космiчного» зразкiв у рамках дебаївської моделi фононного спектра з урахуванням граничного та резонансного розсiянь, а також розсiяння на «плоских дефектах» та фонон-фононних U-процесiв. Рiзниця у залежностях теплопровiдностi «космiчного» та «земного» зразкiв пов’язанa з наявнiстю у «земному» зразку надлишкового миш’яку, який обумовлює як резонансне розсiяння, так i розсiяння на «плоских дефектах», у якостi останнiх можуть бути кластери атомiв миш’яку. uk_UA
dc.description.abstract A comparative study of the thermal conductivity in the temperature interval 2–300 K is carried out for single-crystal GaAs samples grown on Earth and grown under analogous conditions in microgravity on the manned space station Mir. It is found that the heat transfer in the samples is due to phonons. A consistent processing of the temperature dependence of the thermal conductivity of the Earth-grown and space-grown samples is carried out in the framework of the Debye model of the phonon spectrum with allowance for boundary and resonant scattering and for scattering on “planar defects” and phonon–phonon U-processes. The difference in the behavior of the thermal conductivity space-grown and Earth-grown samples is due to the presence of excess arsenic in the Earth-grown sample, resulting in both resonant scattering and scattering on planar defects, which may be clusters of arsenic atoms. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Физика низких температур
dc.subject Динамика кристаллической решетки uk_UA
dc.title Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации uk_UA
dc.title.alternative Thermal conductivity of a GaAs single crystal grown in microgravity uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис