Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Моделювання структури чутливого елементу магніторезистивного перетворювача

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Зіньковський, Ю.Ф.
dc.contributor.author Вытяганець, А.І.
dc.date.accessioned 2018-02-05T19:42:41Z
dc.date.available 2018-02-05T19:42:41Z
dc.date.issued 2017
dc.identifier.citation Моделювання структури чутливого елементу магніторезистивного перетворювача / Ю.Ф. Зіньковський , А.І. Вытяганець // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 4-5. — С. 10-14. — Бібліогр.: 4 назв. — укр. uk_UA
dc.identifier.issn 2225-5818
dc.identifier.other DOI: 10.15222/TKEA2017.4-5.10
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130095
dc.description.abstract Проведено тривимірне моделювання структури чутливого елементу магніторезистивного перетворювача активної потужності та показано розподіл струму і напруженості тангенціального електричного поля в ньому. Отримано вираз для розрахунку вхідного опору перетворювача, необхідного для обчислення струму в плівці. uk_UA
dc.description.abstract Проведено моделирование структуры чувствительного элемента магниторезистивного преобразователя активной мощности, показано распределение тока и напряжения тангенциального электрического поля в нем. Получено выражение для расчета входного сопротивления преобразователя, необходимое для нахождения тока в пленке. uk_UA
dc.description.abstract In the analysis of the electromagnetic structure the distribution and direction of current and the tangential electric field (E-fields) are found. The sensing element of the converter, which is used in the magnetoresistive system, is designed to measure active power in the frequency range from DC to hundreds of megahertz. An expression for the input resistance of the measuring transducer of the active power required for calculating the current in the film is obtained. The simulation of the current distribution and tension of the tangential electric field in the three-dimensional structure of the sensitive element of the magnetoresistive measuring converter of active power was carried out. Knowing the direction of current along the structure it is possible to dampen the parasitic components of the current across the structure, which allows improving the topology of the sensitive element of the converter. uk_UA
dc.language.iso uk uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject Электронные средства: исследования, разработки uk_UA
dc.title Моделювання структури чутливого елементу магніторезистивного перетворювача uk_UA
dc.title.alternative Моделирование структуры чувствительного элемента магниторезистивного преобразователя uk_UA
dc.title.alternative Modeling the structure of the sensitive element of the magnetoresistic converter uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 621.372


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис