Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe₃

Abstract

Исследованы температурные зависимости электросопротивления квазиодномерного NbSe₃ в интервале 78-550 К в термодинамически равновесном и неравновесном состояниях. В области температур 300-550 К обнаружено экспоненциальное отклонение от линейной зависимости, связанное с образованием термодинамически равновесных вакансий Se. Для изучения влияния собственных точечных дефектов (вакансий) на свойства NbSe₃ при 78-300 К использовался метод закалки. Для образцов с избыточными вакансиями обнаружено аномально большое отклонение от правила Маттиссена (до 150%).

The temperature dependence of the electrical resistivity of quasi-one-dimensional NbSe₃ is investigated in the interval 78–550 K in the thermodynamic equilibrium and nonequilibrium states. At temperatures of 300–550 K one observes an exponential deviation from the linear dependence on account of the formation of thermodynamic equilibrium Se vacancies. The influence of intrinsic defects (vacancies) on the properties of NbSe₃ at 78–300 K is investigated by the quenching method. For samples with excess vacancies an anomalously large deviation from the Matthiessen rule (up to 150%) is observed.