Влияние давления, темпеpатуpы и магнитного поля на сопротивление и магниторeзистивный эффект манганит-лантановой керамики и пленки La₀,₇Mn₁,₃O₃±δ

Abstract

В широком температурном интервале T=77-350 К исследовали влияние напряженности магнитного поля H=0-8 кЭ и высоких гидростатических давлений P=0-2,2 ГПа на удельное сопротивление r, магниторезистивный эффект (МРЭ) ΔR/R₀, температуру фазового перехода металл-полупроводник Tms и пика МРЭ Tp керамической мишени и лазерной пленки одинакового катионного состава La₀,₇Mn₁,₃O₃±δ. Рост Н и Р приводит к уменьшению сопротивления. Обнаруженное различие r, Tms и Tp керамики и пленки объяснено различной их кислородной нестехиометрией. Увеличение Н приводит к увеличению, а Р - к уменьшению МРЭ. С увеличением Р увеличиваются Tms и Tp керамики и пленки, причем более существенно пленки. Два фазовых перехода (основной с Tms = 250 К и дополнительный с T'ms=210 K), наблюдаемые в керамике, объяснены ее мезоскопической неоднородностью кластерного типа.

The effects of magnetic fields H=0–8 kOe and high hydrostatic pressures P=0–2.2 GPa on the resistivity ρ, magnetoresistive effect ΔR/R₀, metal–semiconductor phase transition temperature Tms, and peak temperature Tp of the magnetoresistive effect are investigated over a wide range of temperatures T=77–350 K in a ceramic target and a laser film of the same cationic compound La₀,₇Mn₁,₃O₃±δ. Increasing H and P leads to a decrease of the resistivity. The observed difference in ρ, Tms, and Tp between the ceramics and film samples is explained by the difference of their oxygen nonstoichiometry. The magnetoresistive effect decreases with increasing H and decreases with increasing P. The temperatures Tms and Tp of the ceramics and film increase with increasing P, but the effect is stronger in the film. The observation of two phase transitions in the ceramics (the main transition at Tms=250 K and an additional transition at T'ms=210 K) is explained by its mesoscopic inhomogeneity of the cluster type.