Полирование элементов оптико-электронной техники из монокристаллического карбида кремния

Abstract

Обоснована целесообразность применения полировальных суспензий из алмазных микропорошков, порошков нитрида бора и МАХ-фазы Ti₃AlС₂ при исследовании закономерностей полирования монокристаллического карбида кремния и использовании в качестве критериев эффективности процесса обработки приведенной величины энергии переноса, плотности энергии переноса и плотности колебательной энергии, затрачиваемой на образование частиц шлама. В результате компьютерного моделирования микро- и нанопрофиля обработанной поверхности построены профилограммы, по которым определены значения параметров шероховатости и характерные соотношения, связывающие их с наиболее вероятным размером частиц шлама.

Обґрунтовано доцільність використання полірувальних суспензій з алмазних мікропорошків, порошків нітриду бору та МАХ-фази Ti₃AlС₂ при дослідженні закономірностей полірування монокристалічного карбіду кремнію та використанні в якості критеріїв ефективності процесу обробки приведеної величини енергії переносу, густини енергії переносу та густини коливальної енергії, що витрачається на утворення частинок шламу. В результаті комп’ютерного моделювання мікро- і нанопрофілю обробленої поверхні побудовано профілограми, за якими визначено значення параметрів шорсткості та характерні співвідношення, що зв’язують їх з найбільш імовірним розміром частинок шламу.

As a result of studies of regularities polishing monocrystal silicon carbide and use as criteria efficient processing of the presented energy transfer, the energy density and density transfer vibration energy expended on the formation of particles of sludge proved the feasibility of applying diamond polishing suspensions of micron powders, powders of boron nitride and MAX-phase Ti₃AlС₂. As a result of computer simulation surface of micro- and nanoprofile built profilograms, which values of roughness parameters and characteristic relations connecting them with the most probable size of sludge particles.