Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Сивков, А.А. |
|
dc.contributor.author |
Никитин, Д.С. |
|
dc.contributor.author |
Пак, А.Я. |
|
dc.contributor.author |
Рахматуллин, И.А. |
|
dc.date.accessioned |
2017-11-12T13:13:23Z |
|
dc.date.available |
2017-11-12T13:13:23Z |
|
dc.date.issued |
2013 |
|
dc.identifier.citation |
Получение ультрадисперсного кристаллического карбида кремния методом плазмодинамического синтеза / А.А. Сивков, Д.С. Никитин, А.Я. Пак, И.А. Рахматуллин // Сверхтвердые материалы. — 2013. — № 3. — С. 11-18. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
0203-3119 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/126041 |
|
dc.description.abstract |
Реализован прямой плазмодинамический синтез ультрадисперсного кубического карбида кремния β-SiC в условиях воздействия сверхзвуковой импульсной струи углерод-кремниевой электроразрядной плазмы на медную преграду в среде аргона. Получен порошкообразный продукт с высоким содержанием β-SiC, монокристаллы которого со средним размером ~ 100 нм имеют правильную естественную огранку. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Реалізовано прямий плазмодинамічний синтез ультрадисперсного кубічного карбіду кремнію β-SiC в умовах впливу надзвукового імпульсного струменя вуглець-кремнієвої електророзрядної плазми на мідну перепону в середовищі аргону. Одержано порошкоподібний продукт з високим вмістом β-SiC, монокристали якого з середнім розміром ~ 100 нм мають правильне природне огранування. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
The direct plasmodynamic synthesis of β-SiC ultradispersed cubic silicon carbide under the action of supersonic pulse flow of carbon–silicon electric-discharge plasma onto a copper barrier in the argon atmosphere has been realized. A powdered product with a high β-SiC content has been obtained, whose single crystals have a mean size of about 100 nm and crystallographic habit close to the ideal one. |
uk_UA |
dc.description.sponsorship |
Работа выполнена в рамках программы Государственного задания ВУЗам в части проведения научно-исследовательских работ (регистрационный номер 716592011, шифр организации 2.329.2012), с использованием оборудования Центра коллективного пользования научным оборудованием Томского государственного университета, а также Наноцентра Томского политехнического университета. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України |
uk_UA |
dc.relation.isformatof |
Сверхтвердые материалы |
|
dc.subject |
Получение, структура, свойства |
uk_UA |
dc.title |
Получение ультрадисперсного кристаллического карбида кремния методом плазмодинамического синтеза |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Production of ultradispersed crystalline silicon carbide by plasmodynamic synthesis |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
661.689 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті