Проведен обзор результатов теоретических и экспериментальных исследований по межзонному поглощению света полупроводниковыми сферическими нанокристаллами. Показано, что учет поляризационного взаимодействия электрона и дырки с поверхностью нанокристалла вызывает сдвиг порога поглощения в нанокристалле в коротковолновую сторону. Установлено, что край поглощения нанокристаллов формируется двумя сравнимыми по интенсивности переходами с разных уровней размерного квантования дырки на нижний уровень размерного квантования электрона.
Виконано огляд результатів теоретичних та експериментальних досліджень з міжзонного вбирання світла напівпровідниковими сферичними нанокристалами. Показано, що врахування поляризаційної взаємодії електрона і дірки з поверхнею нанокристала спричиняє зсув порогу вбирання в нанокристалі в короткохвильовий бік. Встановлено, що край вбирання нанокристалів формується двома порівнянними за інтенсивністю переходами з ріжних рівнів розмірного квантування дірки на нижній рівень розмірного квантування електрона.
The results of theoretical and experimental investigations of interband absorption of light in semiconductor spherical nanocrystals are analyzed. As shown, the absorption threshold in a nanocrystal is shifted to shorter wavelengths if the polarization-related interaction of electrons and holes with the nanocrystal surface is taken into account. As ascertained, the absorption edge for nanocrystals is formed by two transitions comparable in intensity. These transitions occur from different levels of size-related quantization for a hole to the lower level of size-related quantization for an electron.