Контактные системы на основе тугоплавких металлов в диодах миллиметрового диапазона

dc.contributor.author	Болтовец, Н.С.
dc.contributor.author	Басанец, В.В.
dc.contributor.author	Иванов, В.Н.
dc.contributor.author	Кривуца, В.А.
dc.contributor.author	Фесуненко, В.А.
dc.contributor.author	Цвир, А.В.
dc.date.accessioned	2017-07-18T18:33:56Z
dc.date.available	2017-07-18T18:33:56Z
dc.date.issued	1999
dc.identifier.citation	Контактные системы на основе тугоплавких металлов в диодах миллиметрового диапазона / Н.С. Болтовец, В.В. Басанец, В.Н. Иванов, В.А. Кривуца, В.А. Фесуненко, А.В. Цвир // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122723
dc.description.abstract	Применена металлизация на основе силицидов, нитридов и боридов тугоплавких металлов при разработке генераторных и переключательных диодов.	uk_UA
dc.description.abstract	The metallization on silicides, nitrides and borides base of refractory metals during development generator and switching diodes has been used.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Компоненты для электронной аппаратуры	uk_UA
dc.title	Контактные системы на основе тугоплавких металлов в диодах миллиметрового диапазона	uk_UA
dc.title.alternative	Контактні системи на основі тугоплавких металів у діодах міліметрового діапазону	uk_UA
dc.title.alternative	The contact systems on refractory metals base in diodes of milimeter range	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA