ЗМІСТ

Титульная страница и содержание

Іващишин Ф.О., Григорчак І.І., Матулка Д.В.
Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe〈CH₄N₂S〉, InSe〈FeSO₄〉та InSe〈CH₄N₂S〈FeSO₄〉〉

Йулдашев Х.Т., Ахмедов Ш.С., Хайдаров З.
Исследование инфракрасной фотографической системы на основе кремния, легированного платиной

Конотопский Л.Е., Копылец И.А., Севрюкова В.А., Зубарев Е.Н., Мамон В.В., Кондратенко В.В.
Рост, структура и оптические свойства многослойных рентгеновских зеркал W/Mg₂Si

Жураев Н., Халилов М., Отажонов С., Алимов Н.
Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями

Сейдаметов С.В., Лоскутов С.В., Щетинина М.О.
Влияние электрического потенциала на процесс деформирования алюминия в условиях испытаний кинетическим индентированием

Базалеев Н.И., Донец С.Е., Клепиков В.Ф., Литвиненко В.В., Лонин Ю.Ф., Пономарев А.Г., Уваров В.Т.
Ударно-защитные поверхности алюминиевых сплавов, модифицированных сильноточным релятивистским электронным пучком

Тетелошвили М.Г., Джабуа З.У., Гигинеишвили А.В.
Приготовление тонких пленок TmS и их электрофизические свойства

Йулдашев Х.Т., Ахмедов Ш.С., Рустамов У.С., Эргашев К.М.
Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе

Григорчак І.І., Іващишин Ф.О., Кулик Ю.О., Григорчак О.І.
Антрацен між шарами неорганічного напівпровідника: відгук на електричне поле і освітлення

Зайцев Р.В.
Діелектричний теплопровідний контакт для теплообмінника фотоенергетичної установки

*******
Правила оформления рукописей
Тематические направления
Выходные данные