Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области

Abstract

Представлены результаты теоретического исследования работы субмикронных диодов Ганна с активной областью без ионизированных примесей и с модуляцией проводимости в ней. Показано, что модуляция проводимости и отсутствие ионизированных примесей в активной области диода увеличивают его эффективность, ширину частотного диапазона и оптимальную частоту генерации.

Подано результати теоретичного дослідження роботи субмікронних діодів Ганна з активною областю без іонізованих домішок і з модуляцією провідності в ній. Показано, що модуляція провідності і відсутність іонізованих домішок в активній області діода збільшують його ефективність, ширину частотного діапазону і оптимальну частоту генерації.

The theoretical investigation results of the submicron Gunn diode performance having the active region without the ionized impurities and with modulation of conductivity in active region are presented. It is shown that the modulation of conductivity and absence of the ionized impurities in the diode active region increases its efficiency, frequency range width and the optimum frequency of generation.