Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия

Abstract

Электрические и гальваномагнитные свойства нелегированных и легированных галлием, алюминием и кобальтом пленок оксида цинка и пленок оксида индия, легированного оловом, исследованы в широком диапазоне температур и магнитных полей. Показано, что механизм переноса электронов в пленках изменяется от зонного до прыжкового при уменьшении степени кристалличности пленок, обусловленной методом и условиями синтеза. Для пленок с зонным механизмом переноса электронов при низких температурах исследовано изменение размерности пленок по отношению к явлению слабой локализации, вызванное действием магнитного поля. Для пленок с прыжковым механизмом переноса электронов получены оценки радиуса локализации и плотности электронных состояний на уровне Ферми.

The electrophysical and galvanomagnetic properties of undoped and doped zinc oxide films with gallium, aluminum and cobalt, and indium oxide films doped with tin were investigated in wide temperature and magnetic field ranges. It was shown that the decrease of the film cristallinity caused by the method of film synthesis led to a change of the electron transport type from the band electron transport to the hopping electron one. The effective dimensionality crossover initiated by magnetic field in the films with the band type of electron transport was studied. The values of localization radius and density of states at the Fermi level of the films with the hopping mechanism of transport was evaluated.