Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы

Abstract

При низких температурах в полупроводниковых гетероструктурах с двумя близко расположенными электронными слоями наблюдается высокий узкий пик межслоевой дифференциальной туннельной проводимости. Этот пик является следствием межслоевой фазовой когерентности, которая устанавливается в системе благодаря бозе-конденсации межслоевых экситонов, т.е. пар из электрона и дырки, принадлежащих разным слоям. Показано, что повышение температуры сглаживает пик туннельной проводимости в результате увеличения флуктуаций межслоевого напряжения. Полученная зависимость высоты пика от температуры согласуется с экспериментом.

При низьких температурах у напівпровідникових гетероструктурах з двома близько розташованими електронними шарами спостерігається високий вузький пік міжшарової диференц ійної тунельної провідності. Цей пік є наслідком міжшарової фазової когерентності, яка встановлюється у системі завдяки бозе-конденсації міжшарових екситонів, тобто пар з електрона і дірки, які належать різним шарам. Показано, що підвищення температури згладжує пік тунельної провідності у результаті збільшення флуктуацій міжшарової напруги. Отримана залежн ість висоти піку від температури узгоджується з експериментом.

At low temperatures, the semiconductor heterostructures comprising two adjacent electron layers show a high narrow peak of interlayer differential tunneling conductance. The peak is due to the interlayer phase coherence that is set up in the system owing to the Bose condensation of interlayer excitons, i.e., pairs made up by an electron and a hole belonging to different layers. It is demonstrated here that a rise in the temperature flattens the tunneling conductance peak as a result of increased fluctuations of the interlayer voltage. The calculated temperature dependence of the peak height is in agreement with the experiment.