Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в ртути

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Хоткевич, А.В.
dc.contributor.author Хоткевич, В.В.
dc.contributor.author Морлок, С.В.
dc.contributor.author Конопацкий, Б.Л.
dc.date.accessioned 2017-06-13T10:25:18Z
dc.date.available 2017-06-13T10:25:18Z
dc.date.issued 2007
dc.identifier.citation Микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в ртути / А.В. Хоткевич, В.В. Хоткевич, С.В. Морлок, Б.Л. Конопацкий // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 935–937. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 0132-6414
dc.identifier.other PACS: 72.10.Di
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120919
dc.description.abstract Предложен метод создания микроконтактов из ртути для исследований в области микроконтактной спектроскопии. В данном методе при низкой температуре микроконтакты создаются между покрытыми ртутью металлическими электродами-подложками. Покрытия созданы экспонированием электродов в ртути при комнатной температуре. Экспериментально изучена нелинейная часть сопротивления контактов в нормальном состоянии с последующим восстановлением микроконтактной функции электрон-фононного взаимодействия. Результаты эксперимента находятся в хорошем согласии с известными данными по туннельному эффекту в сверхпроводниках. В частности, хорошо совпадают положения основного пика функции электрон-фононного взаимодействия, максимальная частота фононов, а также численные значения средней и среднеквадратичной фононных частот. uk_UA
dc.description.abstract Запропоновано метод отримання мікроконтактів із ртуті для досліджень в галузі мікроконтактної спектроскопії. У цьому методі при низькій температурі мікроконтакти створюються між покритими ртуттю металевими електродами-підкладками. Покриття створено експонуванням електродів в ртуті при кімнатній температурі. Експериментально вивчено нелінійну частину опору контактів в нормальному стані з наступним відновленням мікроконтактної функції електрон-фононної взаємодії. Результати експерименту добре корелюють з відомими даними тунельного ефекту в надпровідниках. Зокрема, добре співпадає розташування основного піку функції електрон-фононної взаємодії, максимальної частоти фононів , а також чисельні значення середньої та середньоквадратичної частот фононів. uk_UA
dc.description.abstract The method of making the mercury-based point contacts has been developed for point-contact spectroscopic investigations. According to this method point-contacts are formed at low temperature in between the mercury-coated surfaces of the metallic substrate-electrodes. The coatings were made by exposing the electrodes to a mercury bath at room temperature. The nonlinear part of the normal-state resistance in contacts was studied experimentally, and then the point-contact spectral function of the electron– phonon interaction was reconstruction. The experimental results are in good agreement with the known data on the tunnel effect in superconductors. In particular, there is a good match with the position of the main peak of the function of the electron–phonon interaction, the maximum phonon frequency, the values of the mean phonon frequency and the meansquare phonon frequencies. uk_UA
dc.description.sponsorship Авторы выражают благодарность И.П. Гребенник за консультации по физике смачивания, а также Ю.А. Колесниченко за интерес к работе. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Физика низких температур
dc.subject Кpаткие сообщения uk_UA
dc.title Микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в ртути uk_UA
dc.title.alternative Point-contact electron–phonon interaction spectra in mercury uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис