Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model
Тема:
Электронные свойства проводящих систем
Інший ID:
PACS: 68.43.–h, 72.80.Vp, 65.80.Ck
Посилання:
Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene
formed on semiconductor substrate.
Simple analytical model / Z.Z. Alisultanov // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 7. — С. 767–770. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.
Підтримка:
Author thanks the Federal Lezghin National and Cultural
Autonomy (FLNCA) for the support and A.A. Varlamov
for useful discussion.
Дата:
2013
Переглядів:
692
Завантажень:
658
Анотація:
In this paper we have investigated thermoelectric effect in the epitaxial graphene on a semiconductor substrate
using a simple model. We have obtained the expressions for static conductance and thermopower of the
epitaxial graphene. The thermopower of the epitaxial graphene can be abnormally large near the edges of the
semiconductor band gap.
