Исследованы кристаллографические, магнитные, электрические и магниторезистивные свойства образцов La₀,₇₇₅Sr₀,₂₂₅Mn₁–xSnxO₃, синтезированных золь-гель методом. Показано, что введение больших по размеру ионов олова в подрешетку марганца приводит к значительной деформации кристаллической решетки и усиливает структурную и магнитную неоднородность образцов. Обнаружено, что увеличение содержания олова приводит к уменьшению намагниченности, снижению температуры Кюри и увеличению удельного электрического сопротивления. Установлено, что характер изменения кристаллографических параметров коррелирует с характером изменений магнитных параметров. Показано, что низкотемпературное магнитосопротивление увеличивается с увеличениям x, а магнитосопротивление в области комнатных температур является немонотонной функцией концентрации олова и обнаруживает максимум при x = 0,015.
Досліджено кристалографічні, магнітні, електричні та магніторезистивні властивості зразків La₀,₇₇₅Sr₀,₂₂₅Mn₁–xSnxO₃, які синтезовано золь-гель методом. Показано, що введення великих за розміром іонів олова в підґратку марганцю спричиняє значну деформацію кристалічної ґратки і підсилює структурну та магнітну неоднорідність зразків. Виявлено, що збільшення вмісту олова приводить до зменшення намагніченості, зниження температури Кюрі і збільшення питомого електричного опору. Встановлено, що характер зміни кристалографічних параметрів корелює з характером зміни магнітних параметрів. Показано, що низькотемпературний магнітоопір збільшується зі збільшенням x, а магнітоопір в області кімнатних температур є немонотонною функцією концентрації олова і виявляє максимум при x = 0,015.
The crystallographic, magnetic, electric and magnetoresistive properties of La₀,₇₇₅Sr₀,₂₂₅Mn₁–xSnxO₃ samples synthesized by the sol-gel method have been studied. It is shown that the introduction of large ions of tin into a manganese sublattice leads to a strong deformation of the crystal lattice and results in an enhancement of the structural and magnetic inhomogeneity. It is found that an increase in tin content gives rise to a reduction of magnetization, lowering of Curie temperature and increase in electric resistivity. It is found that the character of the change of crystallographic parameters correlates with that of the magnetic parameters change. It is shown that the low temperature magnetoresistance increases with x, whereas the room-temperature magnetoresistance is a non-monotonous function of tin concentration and displays a maximum at x = 0,015.
