Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Nikonyuk, E.S. |
|
dc.contributor.author |
Zakharuk, Z.I. |
|
dc.contributor.author |
Kuchma, M.I. |
|
dc.contributor.author |
Kovalets, M.O. |
|
dc.contributor.author |
Rarenko, A.I. |
|
dc.contributor.author |
Yuriychuk, I.M. |
|
dc.date.accessioned |
2017-05-28T18:00:40Z |
|
dc.date.available |
2017-05-28T18:00:40Z |
|
dc.date.issued |
2007 |
|
dc.identifier.citation |
Compensation of hole conductivity in CdTe crystals doped with Cr / E.S. Nikonyuk, Z.I. Zakharuk, M.I. Kuchma, M.O. Kovalets, A.I. Rarenko, I.M. Yuriychuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 3. — С. 77-79. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1560-8034 |
|
dc.identifier.other |
PACS 61.72.Vv, 71.55.-i |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118128 |
|
dc.description.abstract |
We present the results of optical and electrophysical investigations of CdTe:Cr
crystals. A model explaining a considerable shift of the fundamental absorbtion edge in
the crystals into the long-wave region is proposed. It is found that the doping of cadmium
telluride crystals with Cr impurity leads to the introduction of deep donors with
Еv + 0.19…0.32 eV |
uk_UA |
dc.language.iso |
en |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|
dc.title |
Compensation of hole conductivity in CdTe crystals doped with Cr |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті