Исследован спектр поглощения тонких пленок K₂CdI₄ в интервале энергий 3,6–5,1 эВ и температур 90–430 К при нагревании и охлаждении. По температурной зависимости спектрального положения Em(T) и полуширины Г(Т) длинноволновой ...

При низких температурах в полупроводниковых гетероструктурах с двумя близко расположенными электронными слоями наблюдается высокий узкий пик межслоевой дифференциальной туннельной проводимости. Этот пик является следствием ...