Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Журнал физики и инженерии поверхности
→
Журнал физики и инженерии поверхности, 2016, том 1
→
Журнал физики и инженерии поверхности, 2016, № 3
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Юлдашев, Х.Т.
dc.contributor.author	Хайдаров, З.
dc.contributor.author	Касымов, Ш.С.
dc.date.accessioned	2017-05-18T18:44:14Z
dc.date.available	2017-05-18T18:44:14Z
dc.date.issued	2016
dc.identifier.citation	Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами / Х.Т. Юлдашев, З. Хайдаров, Ш.С. Касымов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 268-273 . — Бібліогр.: 8 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2519-2485
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117003
dc.description.abstract	В статье приводятся результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик кристаллов арсенида галлия и теллурида кадмия с плазменными контактами в газоразрядной фотографической системе.	uk_UA
dc.description.abstract	У статті наводяться результати теоретичних досліджень і експериментальних досліджень вольтамперних характеристик кристалів арсеніду галію і телуриду кадмію з плазмовими контактами в газорозрядній фотографічній системі.	uk_UA
dc.description.abstract	The article presents the results of theoretical calculations and experimental studies of the currentvoltage characteristics of crystals of gallium arsenide and cadmium telluride contacts with a plasma gas discharge in the photographic system.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Журнал физики и инженерии поверхности
dc.title	Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами	uk_UA
dc.title.alternative	Підсилювальні процеси в газорозрядній комірці, що складається з напівпровідника з плазмовими контактами	uk_UA
dc.title.alternative	Amplification processes in discharge cell consisting of the semiconductor plasma clean contacts	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.393.3: 621.382: 621.385