Методи створення і властивості омічних контактів до фосфіду індію (огляд)

Abstract

Систематизовано результати дослідження питомого опору омічних контактів до фосфіду індію. Розглянуто методи формування, матеріали омічних контактів, міжфазні взаємодії у процесі термічного відпалу та вказано оптимальну температуру відпалу для кожного з розглянутих типів металізації. На основі проведеного аналізу дано рекомендації щодо оптимізації шарових структур омічного контакту в залежності від області його використання і необхідних параметрів.

The investigation results of specific resistivity of ohmic contacts to InP have been systematized. The comparison of different formation methods, materials to the ohmic contacts, interfacial interactions during thermal annealing have been considered and the optimal annealing temperature for each type of considered metallization has been obtained. Being based on the performed analysis, recommendations have been given to optimize the ohmic contact layer structures, depending on the area of their application and required parameters.