Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки

Abstract

В образцах контакта Шоттки NbN—GaAs обнаружена и исследована фотоЭДС, которая генерируется вдоль границы раздела металл—полупроводник. Характер распределения ЭДС вдоль образца гетеросистемы указывает на преимущественно барьерный механизм ее генерации. Сложная знакопеременная форма спектральных характеристик фотоЭДС связана с вкладом в измеряемый сигнал нескольких составляющих ЭДС, которые генерируются на потенциальных барьерах гетеросистемы металл—полупроводник. Наблюдается изменение формы спектральных характеристик и знака фотоЭДС при освещении образца со стороны металла. Это обусловлено изменением соотношения между составляющими ЭДС, которые генерируются в слоях гетеросистемы с разным уровнем проводимости. Показано, что на вид спектральных зависимостей существенно влияет переходной полупроводниковый слой, который формируется у границы раздела контакта Шоттки.

A photo-emf in the NbN—GaAs Schottky contact samples has been found and studied. This photo-emf is generated along the metalsemiconductor interface. The character of its distribution along the length of heterosystem sample indicates predominantly barrier mechanism of its generation. A complicated alternating form of spectral characteristics of the photo-emf is related to contributions to the measured signal from several components that are generated at potential barriers of the metal—semiconductor heterosystem. Illumination of samples on the metal side results in change of the form of spectral characteristics and reversal of a sign of photo-emf. This is caused by variation of interrelation between the photo-emf components that are generated in the heterosystem layers with different conductivities. It is shown that a semiconductor junction layer formed near the Schottky contact interface has a pronounced effect on the form of spectral characteristics.