Ускорение электронных сгустков при введении расстройки между частотой следования сгустков и частотой возбуждаемого ими в диэлектрической структуре кильватерного поля

Abstract

С использованием последовательности сгустков линейного электронного ускорителя «Алмаз-2М» (4,5 МэВ, 1 А, 2 мкс) проведено возбуждение кильватерных полей в диэлектрической структуре первой частью последовательности и ускорение в этих полях второй части последовательности сгустков, сдвинутых в ускоряющие фазы при введении расстройки частоты следования сгустков относительно частоты возбуждаемого поля. Изменением величины расстройки показана возможность регулировки числа сгустков, возбуждающих кильватерное поле в структуре, и числа последующих ускоряемых сгустков.

З використанням послідовності згустків лінійного електронного прискорювача «Алмаз-2М» (4,5 МеВ, 1 А, 2 мкс) проведено збудження кільватерних полів у діелектричній структурі першою частиною послідовності і прискорення в цих полях другої частини послідовності згустків, зсунутих у прискорюючі фази при введенні розстройки частоти слідування згустків відносно частоти збуджуваного поля. Зміною величини розстройки показана можливість регулювання числа згустків, що збуджують кільватерне поле в структурі, і числа наступних прискорених згустків.

Using a sequence of bunches of linear electron accelerator "Almaz-2M" (4.5 MeV, 1 A, 2 μs) it was carried out the wakefield excitation in the dielectric structure of the first part of the sequence and the acceleration in these fields the second part of the sequence of bunches shifted in the accelerating phases at detuning bunch repetition frequency with the excited wakefield frequency. By changing the detuning value it was shown the ability to govern the number of bunches, exciting wakefield in the structure, and the number of subsequent accelerated bunches.