Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Игнатьева, Т.А. |
|
dc.contributor.author |
Великодный, А. Н. |
|
dc.date.accessioned |
2017-01-09T18:17:52Z |
|
dc.date.available |
2017-01-09T18:17:52Z |
|
dc.date.issued |
2003 |
|
dc.identifier.citation |
Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх / Т.А. Игнатьева, А. Н. Великодный // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 78-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1562-6016 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111390 |
|
dc.description.abstract |
Исследованы сверхпроводящие свойства сплавов Re1-х - Moх под давлением до 10 кбар в интервале концентраций 0…5 ат.% Mo (в пределах твердого раствора). Наблюдали нелинейное увеличение температуры сверхпроводящего перехода Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo с перегибом при ≈ 2,3 ат.% Mo. При этой же концентрации примеси наблюдается минимум в зависимости dTc/dP (С). Эти особенности согласно ранее развитым представлениям соответствуют электронно-топологическому переходу (ЭТП) в Re под действием примеси Mo, появлению малой дырочной полости поверхности Ферми (ПФ). |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Досліджені надпровідні властивості сплавів Re1-х - Moх під тиском до 10 кбар в інтервалі концентрацій 0…5 ат.% Mo (в межах твердого розчину). Спостерігається нелінійне зростання температури надпровідного переходу Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo з перегином при ≈ 2,3 ат.% Mo. При цій же концентрації Mo спостерігається мінімум в залежності dTc/dP (С). Ці особливості, згідно раніше розвинутим уявленням відповідають електронно-топологічному переходу в Re під дією домішки Mo - поява малої діркової порожнини поверхні Фермі (ПФ). |
uk_UA |
dc.description.abstract |
The superconducting properties of alloys Re1-x Moх at pressure up to 10 kbar in a range of concentrations up to 5 аt % Mo are investigated within the limits of solid solution. Nonlinear increase of superconducting temperature transition Tc up to 5 K at of 4,5 % Mo, with hog-backed at ≈ of 2,3 % Mo are observed. The minimum dependence of dTc/dP at the same concentration of an impurity is also observed. These features by agrees to earlier developed representations correspond to electronic - topological transition in Re under acting of Mo impurities, appearance of a small hole cavity of a Fermi surface. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Вопросы атомной науки и техники |
|
dc.subject |
Сверхпроводимость и сверхпроводящие материалы |
uk_UA |
dc.title |
Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Електронно-топологічний перехід в системі Re1-x- Moх |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Еlectronic - topological transitionin a system Re1-x- Moх |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
539.2; 538.911 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті