Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Завалов, А.М. |
|
dc.contributor.author |
Горшков, В.Н. |
|
dc.contributor.author |
Гончаров, А.А. |
|
dc.date.accessioned |
2017-01-07T16:43:10Z |
|
dc.date.available |
2017-01-07T16:43:10Z |
|
dc.date.issued |
2003 |
|
dc.identifier.citation |
Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе / А.М. Завалов, В.Н. Горшков, А.А. Гончаров // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 4. — С. 60-62. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1562-6016 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110994 |
|
dc.description.abstract |
Приводятся результаты компьютерного моделирования процесса установления стационарных состояний в сильноточной электростатической плазменной линзе, плазменная среда которой образуется широкоапертурным ионным пучком и электронами вторичной ионно-электронной эмиссии. В математической модели учитывались конкретные параметры плазменной линзы, используемой в экспериментах. Установлено образование в объеме ПЛ слоистой электронной структуры, определяемой неоднородным характером распределения внешнего потенциала на электродах-фиксаторах и изолирующего магнитного поля. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Вопросы атомной науки и техники |
|
dc.subject |
Нерелятивистская плазменная электроника |
uk_UA |
dc.title |
Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
533.9 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті