Влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на образование частиц второй фазы в сапфире

Abstract

Исследовано влияние криогенной очистки гелия в кристаллизационной камере на скопление микрочастиц второй фазы в сапфире. Показано, что с улучшением очистки гелия плотность частиц уменьшается. При подаче струи очищенного гелия в полость теплового узла скопления микрочастиц практически не образуются. Химический анализ показал, что микрочастицы состоят преимущественно из атомов вольфрама. Зарождаются микрочастицы в микропорах расплава. В процессе кристаллизации они врастают в сапфир. Загрязнение расплава атомами вольфрама происходит в результате его конвекционного перемешивания.

Досліджено вплив криогенної очистки гелію у кристалізаційній камері на виникнення скупчень мікрочасток другої фази у сапфірі. Показано, що з покращенням очистки гелію скупчення мікрочасток зменшуються. При подачі струї очищеного гелію у порожнину теплового вузла скупчення мікрочасток практично не виникають. Хімічний аналіз показав, що мікрочастки складаються здебільшого з атомів вольфраму. зароджуються вони в мікропорах розплаву. При кристалізації мікрочастки вростають в сапфір. Розплав забруднюється атомами вольфраму внаслідок його конвекційного перемішування.

Influencing of the cryogenic cleaning of helium in a crystallization chamber on accumulation of microparticles of the second phase in a sapphire is explored. It is shown, that with the improvement of cleaning of helium the closeness of particles diminishes. At the serve of stream of the cleared helium in the cavity of thermal site of accumulation of microparticles do not appear practically. The chemical analysis showed that microparticles consisted mainly of atoms of tungsten. Microparticles in microvoids of fusion are engendered. In the process of crystallization they grow in a sapphire. Contamination of fusion by the atoms of tungsten takes place as a result of his convection interfusion.