Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Механізми формування, структура та термоелектричні властивості парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Фреїк, Д.М.
dc.contributor.author Биліна, І.С.
dc.contributor.author Межиловська, Л.Й.
dc.contributor.author Уманців, Р.В.
dc.contributor.author Михайлюк, В.В.
dc.date.accessioned 2016-11-05T21:39:06Z
dc.date.available 2016-11-05T21:39:06Z
dc.date.issued 2014
dc.identifier.citation Механізми формування, структура та термоелектричні властивості парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал / Д.М. Фреїк, І.С. Биліна, Л.Й. Межиловська, Р.В. Уманців, В.В. Михайлюк // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 522-534. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. uk_UA
dc.identifier.issn 1999-8074
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108498
dc.description.abstract Представлені результати комплексних досліджень механізмів зародження і процесів росту, топології поверхні наноструктур у парофазних конденсатах легованого вісмутом плюмбум телуриду PbTe:Bi, вирощених за різних технологічних факторів: температури випарування наважки ТВ = (920—1020) К, температури осадження (підкладки) ТП = (420—520) К, часу осадження τ = (3—120) c на полікристалічному ситалі. uk_UA
dc.description.abstract Представлены результаты комплексных исследований механизмов зарождения и процессов роста, топологии поверхности наноструктур в парофазных конденсатах легированного висмутом теллурида свинца PbTe:Bi, выращенных при различных технологических факторов: температуры испарения навески ТВ = (920—1020) К, температуры осаждения (подложки) ТП = (420—520) К, времени осаждения τ = (3—120) c на поликристаллическом ситалле. uk_UA
dc.description.abstract Presented the results of comprehensive research the mechanism of nucleation and growth processes, surface topology in nanostructures doped bismuth vapor-phase condensates Lead Telluride PbTe:Bi, grown on various technological factors: temperature sample vaporation TV = (920—1020) K, deposition temperature (substrate) TS = (420—520) К, deposition time τ = (3—120) s on polycrystalline ceramics. uk_UA
dc.description.abstract Робота виконана згідно наукових проектів відділу публічної дипломатії НАТО програми «Наука заради миру» (NUKR, SEPP 984536), та МОН України (Державний реєстраційний номер 0113U000185). uk_UA
dc.language.iso uk uk_UA
dc.publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Физическая инженерия поверхности
dc.title Механізми формування, структура та термоелектричні властивості парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал uk_UA
dc.title.alternative Механизмы формирования, структура и термоэлектрические свойства парофазного конденсата PbTe:Bi/ситалл uk_UA
dc.title.alternative Mechanisms of formation, structure and thermoelectric properties of vapor-phase condensates PbTe:Bi/ceramics uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 24621.472.629.78


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис