Представлено результати досліджень характеристик інтеркаляційно розширених напівпровідникових матриць InSe та GaSe з інкапсульованим між їхніми шарами β-циклодекстрином (β-СD). Встановлено характер змін частотної дисперсії імпедансу, тангенса кута втрат та діелектричної проникності синтезованих архітектур залежно від вмісту органічного кавітанду при освітленні і в магнітному полі. Знайдено умови, при яких синтезовані наногібриди будуть цікавими з точки зору сенсорів електромагнітного поля та квантових акумуляторів електричної енергії.
Представлены результаты исследований характеристик интеркаляционных расширенных полупроводниковых матриц InSe и GaSe с инкапсулированным между их слоями β-циклодекстрином (β-СD). Установлен характер изменений частотной дисперсии импеданса, тангенса угла потерь и диэлектрической проницаемости синтезированных архитектур в зависимости от содержания органического кавитанда при освещении и в магнитном поле. Найдены условия, при которых синтезированы наногибриды будут интересны с точки зрения сенсоров электромагнитного поля и квантовых аккумуляторов электрической энергии.
The research results of characteristics of extended semiconductor InSe and GaSe matrix by intercalation with encapsulated between their layers of β-cyclodextrin (β-CD) were presented. The character of changes of the impedance frequency dispersion, loss tangent and dielectric constant of the synthesized architectures depending on the content of organic kavitand at light and in the magnetic field was set. The conditions under which synthesized nanohybrides will be interesting in terms of electromagnetic field sensors and quantum battery electric energy were found.