Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами

Abstract

Моделируется лавинно-каскадное усиление в обратно смещенных pn-i-pn структурах в линейном и нелинейном режимах. Исследовано влияние заряда подвижных носителей, концентрации примесных атомов, электрического поля и величины обратного смещения на коэффициент усиления. Оценена резонансная частота GaAs pn-i-pn структур. Определено влияние времени жизни неравновесных носителей тока на величину порогового тока GaAs pn-i-pn структур.

Моделюється лавинно-каскадне посилення в зворот-но зміщених pn-i-pn структурах в лінійному і нелінійному режимах. Досліджено вплив заряду рухомих носіїв, концентрації домішкових атомів, електричного поля і величини зворотного зміщення на коефіцієнт посилення. Оцінена резонансна частота структур GaAs pn-i-pn. Визначено вплив часу життя нерівноважних носіїв струму на величину порогового струму GaAs pn-i-pn структури.

The avalanche-cascade amplification in the reversed bias pn-i-pn structures in the linear and nonlinear modes is designed. Influencing of charge of mobile carriers, concentrations of impurity atoms, electric field and reverse bias on amplification are explored. Resonance frequency of GaAs pn-i-pn structures is certain. Influence of lifetime of no equilibrium carrier of current on the size of threshold current of GaAs pn-i-pn structure is certain.