http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/9485 Thu, 16 Apr 2026 22:01:14 GMT 2026-04-16T22:01:14Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/501539/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/9485 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/11459 Сергей Александрович Масалов 1 декабря 2007 г. исполнилось 70 лет дважды лауреату Государственной премии Украины в области науки и техники, доктору физико-математических наук, профессору, заведующему отделом радиофизической интроскопии Института радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова НАН Украины. Tue, 01 Jan 2008 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/11459 2008-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/10568 Магнитный радиоспектроскопический комплекс «КВАРК» миллиметрового диапазона длин волн Недух, С.В. Представлено описание основных характеристик и функциональных возможностей магнитного радиоспектроскопиче-ского комплекса «КВАРК». Продемонстрирована возможность радиоспектроскопического комплекса «КВАРК» проводить исследования различных магнитных микро- и наноструктур методом магнитного резонанса в диапазоне частот 20-60 ГГц, диапазоне полей 0-1,9 Тл, интервале температур 77-300 К. Приведены и проанализированы экспериментальные результаты использования в составе электродинамических модулей комплекса различных наборов специализированных резонансных ячеек (перенастраиваемый объемный резонатор, перенастраиваемый открытый резонатор, волноводный концентратор СВЧ поля). Показано, что использованная модульная система построения комплекса позволяет быстро модифицировать его для измерения нерезонансных эффектов гигантского магнитного сопротивления/импеданса и туннельного магнитного сопротивления/импеданса.; Подано опис основних характеристик і функціональних можливостей магнітного радіоспектроскопічного комплексу «КВАРК». Продемонстровано можливість радіоспектроскопічного комплексу «КВАРК» проводити дослідження різних магнітних мікро- і наноструктур методом магнітного резонансу в діапазоні частот 20-60 ГГц, діапазоні полів 0-1,9 Тл, інтервалі температур 77-300 К. Наведено і проаналізовано експериментальні результати використання в складі електродинамічних модулів комплексу різних наборів спеціалізованих резонансних комірок (об'ємний резонатор, що перенастроюється, відкритий резонатор, що перенастроюється, хвилевідний концентратор НВЧ поля). Показано, що використана модульна система побудови комплексу дозволяє швидко модифікувати його для виміру нерезонансних ефектів гігантського магнітного опору/імпедансу та тунельного магнітного опору/імпедансу. Наведено результати досліджень різних класів наноструктур, що отримані за допомогою радіоспектроскопічного комплексу «КВАРК».; Design features of magnetic radiospectroscopic complex “KVARK” and its operates opportunities are present. The preferences of radio-spectroscopic complex “KVARK”, applied to carry out investigations of magnetic micro- and nanostructures by magnetoresonance technique at frequency band 20-60 GHz, field band 0-1,9 T, temperature band 77-300 K are demonstrated. Experimental analysis of usage of same specialized resonator cells (tunable cavity, tunable open resonator, waveguide EHF field concentrator) embedded into electrodynamic modules of complex are given. It is shown, that module-based design of the complex allows to modify quickly it for measurement of non resonance effects of Giant Magnetic Resistance/Impedance and Tunnel Magnetic Resistance/Impedance as well. Experimental results of study of some prospective magnetic nano-structures proving the advantage of radiospectroscopic complex “KVARK” usage are presented. Tue, 01 Jan 2008 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/10568 2008-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/10567 Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами Лукин, К.А.; Максимов, П.П. Моделируется лавинно-каскадное усиление в обратно смещенных pn-i-pn структурах в линейном и нелинейном режимах. Исследовано влияние заряда подвижных носителей, концентрации примесных атомов, электрического поля и величины обратного смещения на коэффициент усиления. Оценена резонансная частота GaAs pn-i-pn структур. Определено влияние времени жизни неравновесных носителей тока на величину порогового тока GaAs pn-i-pn структур.; Моделюється лавинно-каскадне посилення в зворот-но зміщених pn-i-pn структурах в лінійному і нелінійному режимах. Досліджено вплив заряду рухомих носіїв, концентрації домішкових атомів, електричного поля і величини зворотного зміщення на коефіцієнт посилення. Оцінена резонансна частота структур GaAs pn-i-pn. Визначено вплив часу життя нерівноважних носіїв струму на величину порогового струму GaAs pn-i-pn структури.; The avalanche-cascade amplification in the reversed bias pn-i-pn structures in the linear and nonlinear modes is designed. Influencing of charge of mobile carriers, concentrations of impurity atoms, electric field and reverse bias on amplification are explored. Resonance frequency of GaAs pn-i-pn structures is certain. Influence of lifetime of no equilibrium carrier of current on the size of threshold current of GaAs pn-i-pn structure is certain. Tue, 01 Jan 2008 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/10567 2008-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/10566 Роль рассеяния электронов на нейтральных примесях и сплавном потенциале в формировании волн пространственного заряда в приборах с междолинным переносом электронов Стороженко, И.П. Исследована роль рассеяния электронов на неравномерно распределённых нейтральных примесях и сплавном потенциале. Показано, что возрастающая зависимость низкополевой подвижности от координаты в n+-n-n+ приборах с междолинным переносом электронов может приводить к возникновению и дрейфу дипольных доменов. Причиной этого могут служить стационарные компоненты скорости релаксации импульса, такие как убывающие функции координаты концентрации нейтральной примеси, сплавного потенциала и процентного содержания бинарной компоненты в тройных и четверных полупроводниках. При оптимальном распределении нейтральной примеси в активной области эффективность генерации колебаний тока возрастает, а их оптимальная рабочая частота падает.; Досліджена роль розсіювання електронів на нерів-номірному розподілі нейтральних домішок та сплавному потенциалі. Показано, що зростаюча залежність низькополевої рухливості від координати в n+-n-n+ приладах з міждолинним переносом електронів може призвести до виникнення і дрейфу дипольних доменів. Причиною можуть служити стаціонарні компоненти швидкості релаксації імпульсу такі як функції, що спадають від координати концентрації нейтральної домішки, сплавного потенціалу і змісту бінарної компоненти в потрійних і почетверених сполуках. При оптимальному роз-поділі нейтральних домішок в активній області ефективність генерації коливань струму зростає, а їх оптимальна робоча частота падає.; Role of electron scattering by nonuniform distribution of neutral impurity and alloy potential has been studied. It has been shown that increasing coordinate dependence of low-filed mobility in n+-n-n+ intervalley transferred electron devices can result to appearance and drift of dipole domains. Cause of these is stationary componentry of relaxation velocity such as decreasing of coordinate functions of neutral impurity concentration, alloy potential and binary components contents in ternary and quaternary semiconductors. Current oscillation efficiency increase and optimal work frequency decrease at optimum distribution of neu-tral impurity in active zone. Tue, 01 Jan 2008 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/10566 2008-01-01T00:00:00Z