http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/7853 Thu, 09 Apr 2026 04:05:56 GMT 2026-04-09T04:05:56Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/88997/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/7853 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/101961 Возможности получения наноструктуры в массивных изделиях и влияние наноструктурирования на их свойства Дьяченко, С.С.; Поиомаренко, И.В.; Золотько, В.А. В статье рассматриваются возможные способы получения нанокристаллических структур в реальных изделиях, оцениваются их технологичность, сложность осуществления и вероятность достижения требуемых свойств. Особое внимание уделено поверхностному наноструктурированию и установлению связей между характером структуры, формирующейся на поверхности изделий при ее обработке различными методам, и изменениями свойств в объеме изделия.; В статті розглядаються можливі способи отримання нанокристалічних структур в реальних виробах, оцінюються їх технологічність, складність здійснення та ймовірність досягнення необхідних властивостей. Особливу увагу приділено поверхневому наноструктуруванню та встановленню зв’язків між характером структури, що формується на поверхні виробів при її обробці різними методами, і зміною властивостей в об’ємі виробу.; This paper regards the possible methods of nanostructure obtaining in real articles, estimates their manufacturability, complicity of realization, probability of the required properties attaining. Peculiar emphases has been given to the nanostructure creation in the surface layers and to ascertain the relations between their structure depending on the treatment method and the volume properties. Thu, 01 Jan 2009 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/101961 2009-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/101960 Правила оформления рукописей Thu, 01 Jan 2009 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/101960 2009-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/101959 Гладких Николай Тимофеевич (к 75 летию со дня рождения) Thu, 01 Jan 2009 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/101959 2009-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/101958 Кластерные образования проводящих квантовых структур в монокристаллическом кремнии для гелиоэнергетики Ефимов, В.П. Рассматриваются физические процессы образования и управления кластерными объединениями в проводящих квантовых структурах в монокристалле кремния. Выделены основные радиационные процессы с пространственной изотропией вылета осколков ядер тяжелых элементов при их фотоделении для обработки кремниевых структур. На основе полученных экспериментальных результатов разработана схема кремниевого фотопреобразователя третьего поколения для гелиоэнергетики.; Розглядаються фізичні процеси створення та управління кластерними об’єднаннями в електропровідних квантових структурах в монокристалічному кремнію. Виділено основні радіаційні процеси з просторовою ізотропією вильоту уламків ядер важких елементів під час фотоділення для обробки кремнієвих структур. На основі отриманих експериментальних результатів розроблено схему кремнієвого фотоперетворювача третього покоління для геліоенергетики.; The physical processes of formation and control of the conducting quantum cluster structures in single-crystal silicon are considered. The main radiation processes with spatial isotropy of the escape of nuclei fragments of heavy elements in their photofission for processing silicon structures are determined. Based on the experimental results the scheme of the silicon photoconverters for thirdgeneration solar energy have been designed. Thu, 01 Jan 2009 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/101958 2009-01-01T00:00:00Z