http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70818 Mon, 06 Apr 2026 21:17:20 GMT 2026-04-06T21:17:20Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/210556/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70818 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70899 Методическое обеспечение практикума по системе P-CAD 4,5 для начинающих пользователей Сибиряков, В.В.; Трофимов, В.Е. Mon, 01 Jan 2001 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70899 2001-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70898 Однокристальная микро-ЭВМ с аналого-цифровым преобразователем Вербицкий, В.Г.; Липовецкий, Г.П.; Сивобород, П.В. Представлены функциональные возможности и основные параметры новой однокристальной микро-ЭВМ УМ5704ВЕ56 семейства МК-51 с 8-разрядным аналого-цифровым преобразователем (АЦП). Описан способ преобразования, рассмотрены факторы, влияющие на ошибки аналого-цифрового преобразования. Показаны варианты подключения внешних интерфейсов для оптимального функционирования АЦП. Рассмотрены команды управления АЦП, использующие внутренние регистры микро-ЭВМ, с описанием характеристик дополнительных битов в этих регистрах. Mon, 01 Jan 2001 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70898 2001-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70897 Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра Ковтун, Г.П.; Кравченко, А.И.; Щербань, А.П. Изложены особенности разработанной установки для выращивания монокристаллов GaAs диаметром 80—100 мм под слоем флюса в условиях низкого температурного градиента. Монокристаллы GaAs характеризуются низкой плотностью дислокаций (5·10⁴ см⁻²) и равномерностью ее распределения по сечению. Отмечается нестабильность диаметра и появление двойникования у выращиваемых монокристаллов при значительном снижении температурного градиента. Mon, 01 Jan 2001 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70897 2001-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70896 Особенности автоматизации диодных реакторных систем микротравления Будянский, А.М.; Фареник, В.И.; Яцков, А.П. Проведено изучение природы скачков интенсивности ВЧ-разряда, возникающих в цепи автоматических согласующих устройств генераторов при эксплуатации ВЧ газоразрядных систем. Показано, что наличие или отсутствие скачков в системе полностью определяется формой зависимости собственной емкости плазмы от приложенного к разряду ВЧ-напряжения. Показаны пути создания алгоритма настройки системы, исключающего возникновение скачков. Mon, 01 Jan 2001 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70896 2001-01-01T00:00:00Z