http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70817 Sun, 05 Apr 2026 22:36:50 GMT 2026-04-05T22:36:50Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/210555/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70817 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70882 Влияние пластической деформации на анизотропию электропроводности трансформаторной стали Усов, В.В. Пластическая обработка трансформаторной стали Fe – 3% Si, имеющей объемно центрированную кубическую решетку, приводит к возникновению качественно новых свойств — анизотропии электропроводности. Учет этой анизотропии позволит уменьшить тепловые потери, обусловленные вихревыми токами, например, в магнитопроводах электродвигателей или трансформаторов. Для количественного объяснения анизотропии электропроводности предлагается композитная модель структуры деформированного металла, основанная на понятии фрактала. Mon, 01 Jan 2001 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70882 2001-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70881 Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений Гаркавенко, А.С. Прямозонные полупроводниковые соединения могут быть пролегированы позитронно-активной примесью с высокой степенью концентрации. Позитрон в кристалле полупроводника рассматривается как легчайшая дырка с эффективной массой, равной эффективной массе электрона. Такая дырка может связаться с электроном и образовать экситон нового типа—позитекс. На основе аналогии между позитексами и экситонами Ванье–Мотта показана возможность достижения необходимых и достаточных условий для генерации когерентного гамма-излучения в такой системе. Mon, 01 Jan 2001 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70881 2001-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70880 Датчики приближения и положения на основе индуктивных балансных сенсоров Негоденко, О.Н.; Семенцов, В.И.; Мардамшин, Ю.П. Предлагается повышать чувствительность индуктивных балансных сенсоров (ИБС) настройкой выходного контура в резонанс с частотой генератора, а также увеличением количества входных катушек. Это позволяет увеличить расстояние переключения датчиков приближения в 2–3 раза. На изогнутых ИБС реализуются датчики приближения проводящих предметов при любом направлении их движения, однако расстояние переключения при этом невелико. Датчик положения с ИБС применен в определителе скорости течения воды. Mon, 01 Jan 2001 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70880 2001-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70879 Интегральные микроэлектронные преобразователи для дистанционных измерений Гусейнов, Я.Ю. Разработаны магнито- и газочувствительные интегральные преобра­зователи с частотным выходом на базе пленок поликристаллического кремния, выращенных в едином технологическом цикле эпитаксиаль­ного наращивания монокристаллических пленок n-типа проводимости. Mon, 01 Jan 2001 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70879 2001-01-01T00:00:00Z