http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70729 Thu, 16 Apr 2026 20:10:12 GMT 2026-04-16T20:10:12Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/210540/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70729 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70746 Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок Стерхова, А.В. Проанализированы сходства и различия размерно-геометрических параметров моделей микроструктуры серебро-палладиевых толстопленочных резисторов (ТПР). Впервые по структурной модели металлических кластеров и кластерной модели электрических связей на основе экспериментальных данных оценено число выборок гауссовского нормального рапределения для длины и площади проводящих гранул и межгранулярного расстояния в широком диапазоне удельных сопротивлений толстопленочных резисторов. Результаты работы использованы при исследовании процессов протекания тока в ТПР. Tue, 01 Jan 2002 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70746 2002-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70745 Особенности разработки датчиков давления на ПАВ для АЭС Лепих, Я.И.; Лопушенко, В.К.; Черняк, Н.Г.; Николаенко, Ю.Е. Рассмотрены особенности проектирование датчиков давления с первичным преобразователем на поверхностных акустических волнах для АЭС. Описаны структурная схема и конструкция датчика. Проводится анализ функциональной схемы датчика с точки зрения его метрологических характеристик. Сопоставляются результаты экспериментальных исследований характеристик датчиков с расчетными. Tue, 01 Jan 2002 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70745 2002-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70744 Один из механизмов деградации микроэлектромеханических структур датчиков давления Адарчин, С.А.; Кужненков, А.С.; Кожитов, Л.В.; Косушкин, В.Г. Установлен механизм деградации и возникновения отказов микроэлектромеханических структур датчиков давления. Предложена математическая модель изменения величины температурного гистерезиса выходного сигнала датчиков, установлена степень его влияния на надежность приборов. Предложены способы уменьшения величины и снижения скорости возрастания гистерезиса выходного сигнала микроэлектромеханических структур. Tue, 01 Jan 2002 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70744 2002-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70743 Технология изготовления лазерных красителей для диапазона 472-600 нм Кругленко, В.П.; Марончук, И.Е.; Повстяной, М.В. Предложена рецептура и технология изготовления новых лазерных красителей класса имитринов, эффективно работающих в желто-зеленом спектральном диапазоне при лазерном возбуждении. Приводятся экспериментальные данные о наиболее оптимальных условиях синтеза красителей из доступных исходных компонентов. Химическая структура полученных красителей доказана физико-химическими методами исследования. Tue, 01 Jan 2002 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70743 2002-01-01T00:00:00Z