http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70580 Mon, 06 Apr 2026 12:12:01 GMT 2026-04-06T12:12:01Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/210547/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70580 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70643 Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях Москалюк, В.А.; Тимофеев, В.И.; Иващук, А.В. Предложен способ аналитического расчета времен релаксации концентрации, импульса и энергии для GaAs в сильных электрических полях для моделирования динамических процессов с помощью соответствующих уравнений баланса.; The method of analytical calculation of the relaxation times of concentration, pulse and energy for GaAs in strong electric fields for modeling dynamic processes with the help of the appropriate equations of the balance is offered. Wed, 01 Jan 2003 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70643 2003-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70642 Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков Шварц, Ю.М.; Шварц, М.М.; Иващенко, А.Н.; Босый, В.И.; Максименко, А.Г.; Сапон, С.В. Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения. Разработанные температурные сенсоры характеризуют высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое энергопотребление, малая масса, способность эффективно функционировать в условиях комбинированного воздействия низких и высоких температур, термоциклов, механических ударов и вибраций, климатических факторов, высокой радиации и т. д.; We have developed the new type of the silicon diode temperature sensors (DTSs) with advanced characteristics on the base of highly doped p-n silicon structures. The industrial technology of manufacturing such type of structures with minimized leakage and generation-recombination currents (almost ideal diode) have provided to make the advanced diode temperature sensors for extreme electronics. The design and assembly technology for the DTSs has been developed with making use of laser engineering for the package production. Wed, 01 Jan 2003 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70642 2003-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70641 Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников Босый, В.И.; Иващук, А.В.; Ковальчук, В.Н.; Семашко, Е.М. Представлен обзор опубликованных в последние годы результатов по созданию мощных СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN. Рассмотрены вопросы конструкции и технологии изготовления данных транзисторов, результаты исследований влияния подложки на характеристики приборов. Показано, что НЕМТ на основе гетероструктур AlGaN/GaN могут обеспечивать 5—10-кратное увеличение удельной мощности (≥10 Вт/мм) при кпд до 60%, увеличение рабочих температур, повышение надежности по сравнению с приборами на основе GaAs.; The review of the outcomes, published per last years, on creation of UHF power transistors on AlGaN/GaN heterostructures is submitted. The problems of a design and technology of manufacturing of the transistors as well as an influence of a substrate on the characteristics of devices are surveyed. Is exhibited, that AlGaN/GaN НЕМТs can provide (5-10) multiple increases of power density (≥10 W/mm) at an efficiency up to 60 %, increase of operation temperatures, reliability increasing as compared to GaAs devices. Wed, 01 Jan 2003 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70641 2003-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70640 Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения Колежук, К.В.; Комащенко, В.Н.; Шереметова, Г.И.; Коржинский, Ф.И.; Чмиль, В.М. Разработана и изготовлена опытная партия селективных и широкополосных сенсоров ультрафиолетового излучения нового поколения на основе слоистых гетероструктур в системе широкозонных полупроводников А²В⁶ и их твердых растворов. Созданные сенсоры не имеют промышленных аналогов в мире. Их основной отличительной особенностью является нечувствительность к видимому свету при отсутствии специальных оптических фильтров для корректирования спектральной характеристики. Предназначены для мониторинга УФ-излучения.; We developed and fabricated a pilot run of selective and broad-band new-generation sensors of ultraviolet radiation on the basis of layered heterostructures made of wide-gap AIIBVI semiconductors and their solid solutions. These sensors have no commercial analogs in the world. Their distinctive feature is insensitivity to the visible light without special optical filters for correction of spectral curve. The sensors are intended for monitoring of ultraviolet radiation. Wed, 01 Jan 2003 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70640 2003-01-01T00:00:00Z