http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70579 Fri, 10 Apr 2026 13:36:18 GMT 2026-04-10T13:36:18Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/210546/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70579 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70618 Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами Храмов, Е.Ф.; Прохоров, Г.В.; Пелихатый, Н.М.; Гнап, А.К. Выявлены ранее не описанные структурные микродефекты, возникающие в пленках полупроводника при гамма-облучении. Показано, что причиной изменения оптических свойств таких пленок являются микронеоднородности и упругие поля вокруг них. Проведенными экспериментальными исследованиями процессов радиационного дефектообразования выявлена одна из возможных причин искажения электрического сигнала в слоистых структурах изделий твердотельной электроники.; This paper deals with finding out the causes of appearing nonlinearities of the integral circuits components. It has been shown that in the interaction with γ - quantum's recrystallization tares place in semiconductors. The recrystallized areas are among the causes which produce the signal deformation. Wed, 01 Jan 2003 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70618 2003-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70617 Приборы определения солености воды на основе индуктивных балансных сенсоров Негоденко, О.Н.; Черевко, С.А. Для определения солености питьевой воды предлагается двухкатушечный индуктивный балансный сенсор, а для воды заземленных водоемов — трехкатушечный. В первом случае полезный сигнал выводится на стрелочный индикатор, во втором — на монитор персонального компьютера. Приводятся электрическая схема приборов и графики зависимости полезного сигнала от концентрации в воде поваренной соли.; For definition salinity of drinking water is used two-bobbin inductive balanced sensor and water ground of reservoirs - three-bobbin. In the first case the useful signal is deduced on the pointer indicator, and in the second case on the monitor of the personal computer. To be resulted the electrical circuit of devices and diagrams of dependences of a useful signal from concentration in water of the cooking salt. Wed, 01 Jan 2003 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70617 2003-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70616 Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором Корнейчук, В.И.; Рогалевич, О.А. Экспериментально исследованы фотоприемные устройства импульсных ИК-сигналов на основе кремниевого p—i—n-фотодиода и операционного усилителя, в цепь обратной связи которого включен "искусственный" резистор, обладающий меньшей температурой шума, чем обычный резистор.; The photoreception devices (PRD) of pulse infrared signals are experimentally investigated. The PRD contains of siliicon p—i—n-photodiode and operational amplifier. The "artificial" resistor is included in a circuit of feedback operational amplifier and having smaller temperature of noise, than usual resistor. Wed, 01 Jan 2003 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70616 2003-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70615 Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов Терлецкая, Л.Л.; Калиниченко, Л.Ф.; Голубцов, В.В. Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спектров, что в сочетании с высокими энергетическими параметрами излучателя и фотоприемника подтверждает возможность создания интегрального оптрона на основе исследованных гетероструктур.; The comparative analysis of the photoluminescence spectra of the n-GaAs heteroepitaxial layers and spectral characteristics of the p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺(GaAs)-structures are investigated. The n-GaAs layers on the Si-base were grown by the method of liquid-phase epitaxy. The complete correspondence of the maxima of these spectra were obtained. This fact with combination high energetically parameters of the light-emitter and photodetector proves the possibility of the creating of the integral optron on the base heterostructures, which were investigated. Wed, 01 Jan 2003 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70615 2003-01-01T00:00:00Z