<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rss xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" version="2.0">
<channel>
<title>Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70529</link>
<description/>
<pubDate>Sun, 12 Apr 2026 10:48:45 GMT</pubDate>
<dc:date>2026-04-12T10:48:45Z</dc:date>
<image>
<title>Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014</title>
<url>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/270006/</url>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70529</link>
</image>
<item>
<title>Новые книги</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/100470</link>
<description>Новые книги
</description>
<pubDate>Wed, 01 Jan 2014 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/100470</guid>
<dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Список рецензентов номера</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/100469</link>
<description>Список рецензентов номера
</description>
<pubDate>Wed, 01 Jan 2014 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/100469</guid>
<dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Автоматизированная система определения глубины выгорания отработавшего ядерного топлива</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/100468</link>
<description>Автоматизированная система определения глубины выгорания отработавшего ядерного топлива
Мокрицкий, В.А.; Маслов, О.В.; Банзак, О.В.
Проведен анализ опыта авторов в создании системы контроля состояния отработавшего ядерного топлива (ОЯТ), а именно глубины выгорания, начального обогащения и времени выдержки, проведен на основании измерений спектров собственного гамма-излучения ОЯТ. Система базируется на CdZnTe-детекторах, в которых реализованы условия однозарядового сбора. Предложена методика контроля выгорания ОЯТ в реальном времени при проведении технологических операций.; Проведено аналіз досвіду авторів у створенні системи контролю стану відпрацьованого ядерного палива (ВЯП), зокрема глибини вигорання, початкового збагачення і часу витримки, на основі вимірів спектрів власного гамма-випромінювання ВЯП. Основою такої системи є CdZnTe-детектори, у яких реалізовано умови однозарядового збору. Також запропоновано методику контролю вигоряння ВЯП у реальному часі при проведенні технологічних операцій перевантаження ВЯП.; The authors analyze their experience in application of semi-conductor detectors and development of a breadboard model of the monitoring system for spent nuclear fuel (SNF). Such system should use CdZnTe-detectors in which one-charging gathering conditions are realized. The proposed technique of real time SNF control during reloading technological operations is based on the obtained research results. Methods for determining the burnup of spent nuclear fuel based on measuring the characteristics of intrinsic radiation are covered in many papers, but those metods do not usually take into account that the nuclear fuel used during the operation has varying degrees of initial enrichment, or a new kind of fuel may be used.
</description>
<pubDate>Wed, 01 Jan 2014 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/100468</guid>
<dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/100467</link>
<description>Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
Курмашев, Ш.Д.; Кулинич, О.А.; Брусенская, Г.И.; Веремьева, А.В.
Исследована возможность повышения радиационной устойчивости кремниевых эпитаксиальных слоев за счет создания стоков радиационных дефектов в виде дислокационных сеток плотностью 10⁹—10¹² м⁻².; Досліджено можливість підвищення радіаційної стійкості кремнієвих епітаксійних шарів за рахунок створення стоків радіаційних дефектів у вигляді дислокаційних сіток щільністю 10⁹—10¹² м⁻².; The authors investigate the possibility of increasing the radiation resistance of silicon epitaxial layers by creating radiation defects sinks in the form of dislocation networks of the density of 10⁹—10¹² m⁻².
</description>
<pubDate>Wed, 01 Jan 2014 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/100467</guid>
<dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
</channel>
</rss>
