http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69734 Fri, 10 Apr 2026 02:48:12 GMT 2026-04-10T02:48:12Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/207534/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69734 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98790 Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств Дудин, С.В. Отработаны технологические режимы анизотропного травления многослойных структур на базе GaN для нужд современной оптоэлектроники с использованием комбинированного индукционно-емкостного разряда в смеси метана с водородом. Получена скорость травления до 100 нм/мин и селективность относительно SiO₂ на уровне 6:1, что демонстрирует пригодность данной технологии для использования в производстве белых светодиодов. Травление проводится без использования агрессивных соединений, которые содержат хлор и фтор.; Відпрацьовано технологічні режими анізотропного травління багатошарових структур на базі GaN для потреб сучасної оптоелектроніки з використанням комбінованого індукційно-ємнісного розряду в суміші метану з воднем. Отримано швидкість травління до 100 нм/хв і селективність відносно SiO₂ на рівні 6:1, що демонструє придатність даної технології для використання у виробництві білих світлодіодів. Травління проводиться без використання агресивних сполук, які містять хлор і фтор.; Technological regimes of anisotropic etching of multilayer GaN-based structures for needs of modern optoelectronics have been developed with use of combined ICP reactor with RF bias in methanehydrogen mixture. Etch rate up to 100 nanometers/ mines have been reached along with selectivity of 6:1 against SiO₂, that shows suitability of the given technology for use in manufacture of white lightemitting diodes. Etching is carried out without use of aggressive gases containing chlorine and a fluorine. Sun, 01 Jan 2006 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98790 2006-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98789 Исследование поведения многокомпонентных покрытий в агрессивных средах в процессе варки оптических стекол Сагалович, А.В.; Бабенко, В.А.; Дудник, C.Ф.; Богуславский, Г.И.; Петров, В.Н.; Сагалович, В.В. Проведен анализ различных нетрадиционны материалов, которые могут быть использованы для изготовления варочных сосудов и технологической оснастки (мешалок, электродов), способных работать в агрессивных средах в процессе варки оптически стекол. Исследовано поведение образцов кандидатных материалов (Mo, Zr, ZrO₂, Al₂O₃ , TiO₂ , ZrN, TiN и др .) в агрессивных средах при варку оптических стекол. Определено загрязнение этими материалами навариваемых стекол. Разработаны, изготовлены и успешно эксплуатируются в промышленных условиях электроды и другие элементы технологической оснастки из тугоплавких материалов с покрытиями для высокотемпературных применений.; Проведено аналіз різних нетрадиційних матеріалів, які можуть бути використані для виготовлення виручених судин і технологічної оснастки (мішалок, єлектродов), здатних працювати в агресивних середовищах в процесі варіння оптично стекол. Досліджено поведінку зразків кандидатних матеріалів (Mo, Zr, ZrO₂, Al₂O₃, TiO₂, ZrN, TiN та ін.) В агресивних середовищах при варіння оптичних стекол. Визначено забруднення цими матеріалами наварюють стекол. Розроблено, виготовлено та успішно експлуатуються в промислових умовах електроди і інші елементи технологічної оснастки з тугоплавких матеріалів з покриттями для високотемпературних застосувань.; The analysis of various nonconventional materials is lead, which can be used for manufacturing cooking vessels and industrial equipment (mixers, electrodes), capable to work in excited environments during cooking optical glasses. The behaviour of samples candidate materials (Mo, Zr, ZrO₂ , Al₂O₃ , TiO₂ , ZrN, TiN, etc.) in excited environments is investigated at cooking optical glasses. Pollution by these materials of welded on glasses is determined. Electrodes and other elements of industrial equipment are developed, made and are successfully maintained of refractory materials with coverings for hightemperature applications in industrial conditions. Sun, 01 Jan 2006 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98789 2006-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98788 Микро-нанослойные покрытия, сформированные методом вакуумно-дугового осаждения с использованием ВЧ-разряда Береснев, В.М.; Толок, В.Т.; Швец, О.М.; Фурсова, Е.В.; Чернышов, Н.Н.; Маликов, Л.В. Показана возможность формирования слоистых покрытий TiN/Mo, TiN/БрАЖ9-4 методом вакуумно-дугового осаждения, с использованием ВЧ разряда, для очистки плазменного потока от микрочастиц. На основе расчета скоростей осаждения (толщины) определены технологические параметры, позволяющие формировать нанослоистые структуры. Установлены закономерности изменения фазово-структурного состава, микротвердости получаемых покрытий от давления, ускоряющего потенциала подложки. Изучены триботехнические характеристики покрытий в сравнении с покрытием TiN. Результаты триботехнических испытаний свидетельствуют, что нанослойные покрытия TiN/Mo, TiN/БрАЖ9-4 по своим эксплуатационным показателям существенно превышают покрытие TiN.; Доведено можливість формування шарових покриттів TiN/Mo, TiN/БрАЖ9-4 методом вакуумнодугового осадження з використанням ВЧ- розряду, для очищення плазмового потоку від мікрочастинок. На основі розрахунків швидкості осадження (товщини) визначені технологічні параметри, які дозволяють формувати наношарові структури. Установлено закономірності зміни фаза-структурного складу, мікротвердості отриманих покриттів від тиску, прискорюваного потенціалу напруги, який подається на підкладинку. Вивчено триботехнічні характеристики покриттів у порівнянні з покриттям TiN. Результати триботехнічних випробувань свідчать, що наношарові покриття TiN/ Mo, TiN/БрАЖ9-4 за своїми експлуатаційними показниками суттєво перевищують покриття TiN.; The opportunity of formation of layered coverings TiN/Mo, TiN/БрАЖ9-4, by a method of vacuum-arc sedimentation with use HF of the discharge, for clearing a plasma stream of microparticles is shown. On the basis of calculations speed (thickness) the technological parameters are determined, allowing to form nanolayers structures. Laws of change phasestructural structure, microhardness of received coverings from the pressure, the accelerating potential of a substrate are established. Shown, that a study flowing of fciction characteristics of coverings in comparison with covering TiN. Results friction tests testify, that nanolayer coverings TiN/Mo, TiN/БрАЖ9-4 on the operational parameters essentially exceed covering TiN. Sun, 01 Jan 2006 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98788 2006-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98787 Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик Возный, А.В.; Ям, Дж.Ю.; Кропотов, А.Ю.; Фареник, В.И. При ионно-лучевом травлении диэлектрических образцов через маску субмикронных размеров зарядка поверхности вызывает искривление траектории ионов, что в конечном итоге делает невозможным получение более мелких микроструктур. В данной работе в качестве инструмента для сухого травления предлагается использовать пучок нейтральных частиц, который образуется в результате гетерогенной нейтрализации медленных ионов при отражении от поверхности плоскопараллельных проводящих пластин. Исследованы скорость травления кремниевых образцов и степень нейтрализации потока. Было показано, что при отражении ионов от поверхности под углом 5° подавляющая часть из них нейтрализуется.; При іонно-променевому травленні діелектричних зразків через маску субмікронних розмірів заряд на поверхні спричиняє викривлення траєкторії іонів, що призводить до неможливості одержання дрібніших мікроструктур. У роботі, для сухого травлення, пропонується використовувати пучок нейтральних часток, що утворюється в результаті гетерогенної нейтралізації повільних іонів при їх відбитті від поверхні плоскопаралельних провідних пластин. Досліджено швидкість травлення зразків оксиду кремнію і ступінь нейтралізації потоку. Встановлено, що при відбитті іонів від поверхні під кутом 5° більша частина їх нейтралізується.; During ion beam etching of dielectric samples through a mask of submicron size surface charge causes ion trajectory deviation which makes receiving smaller microstructures impossible. In this work beam of neutral particles is proposed as an instrument for dry etching which is formed due to reflection from a set of parallel conductive plates. Degree of neutralization was studied, as well as the energy of the obtained flux. It was shown that during ion reflection at the angle 5° with the surface most of them neutralized. Sun, 01 Jan 2006 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98787 2006-01-01T00:00:00Z