Физическая инженерия поверхности, 2005, № 3-4

Правила оформления статей

Sat, 01 Jan 2005 00:00:00 GMT

Правила оформления статей

Дисперсные поглотители электромагнитных волн

Sat, 01 Jan 2005 00:00:00 GMT

Дисперсные поглотители электромагнитных волн Широков, Б.М.; Корж, А.Ф. В работе представлены результаты расчетов различных конструкций дисперсных структур, в которых дисперсная фракция помещенная, в диэлектрическую матрицу, представляет собой микрочастицы, на поверхность которых нанесено металлическое покрытие. Такие искусственные материалы могут быть использованы как поглотители электромагнитной энергии.; У роботі наведено результати розрахунків різноманітних конструкцій дисперсних структур, в яких дисперсна фракція, поміщена в діелектричну матрицю, являє собою мікрочастинки, на поверхні яких нанесено металеве покриття. Такі штучні матеріали можуть бути використані, як вбирачі електромагнітної енергії.; The results of calculations for different disperse structures, in which disperse fraction located in dielectric matrix represents macro-particles with metallic coating deposited on their surface, are presented in the paper. Such artificial materials can be used as electro-magnetic energy absorbers.

Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода

Sat, 01 Jan 2005 00:00:00 GMT

Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода Ёдгорова, Д.М. В работе приведены результаты исследования процессов расширения слоя объемного заряда р-n-перехода затвора полевого транзистора. Прямыми исследованиями закономерности изменения емкости p-n-перехода от напряжения и характеристического параметра установлено, что чем резче и тоньше p-n-переход, тем выше крутизна передаточной характеристики изготовленного на его основе полевого транзистора.; У роботі приведені результати дослідження процесів розширення шару об’ємного заряду р-n-переходу затвору польового транзистора. Прямими дослідженнями закономірності зміни ємності p-n-переходу від напруги і характеристичного параметра установлено, що чим різкіше і тонше p-n-перехід, тим вище крутість передатної характеристики виготовленого на його основі польового транзистора.; In the work the results of research of processes of pn-junction gates space charge layer expansion in the field transistor are given. By direct researches of change of р-n-junction capacity with voltage and characteristic parameter is established, that the more abruptly and the thiner р-n-junction on the higher steepness of the transfer characteristics of the field transistor, made on its base is.

Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe

Sat, 01 Jan 2005 00:00:00 GMT

Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe Каримов, М.А.; Юлдашев, Н.Х. Разработана технология легирования примесью индия поликристаллических пленок CdTe с аномальным фотовольтаическим (АФВ) свойством, позволяющая увеличить фотонапряжение на порядок, а ток короткого замыкания более чем на два порядка. Впервые обнаруженный данный эффект в легированных пленках CdTe:In, объясняется асимметричной термополевой миграцией (ТПМ) во внутрикристаллическом поле границы зерен ионов In⁺ⁱ и вакансий кадмия VCd−j в процессе термической обработки.; Розроблено технологію легування домішками індію полікристалічних плівок CdTe з аномальним фотовольтаїчним (АФВ) властивістю, що дозволяє збільшити фотонапругу на порядок, а струм короткого замикання більш ніж на два порядки. Уперше виявлений даний ефект у легованих плівках CdTe:In, пояснюється асиметричною термополевою міграцією (ТПМ) у внутрікристалічному полі границі зерен іонів In+i і вакансій кадмію VCd−j в процесі термічної обробки.; It was developed a technology for Indium admixture doping of polycrystal films CdTe with anomalous photo-voltaic (APV) property, allowing to increase photo voltage up to 1 order and short circuit current more than up to 2 orders. Such effect in doped films CdTe:In revealed for the first time is explained by asymmetric thermo-field migration (TFM) in the boundary field of ions In+i grains and cadmium vacancies VCd−j during thermal treatment process.