http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69659 Thu, 09 Apr 2026 13:00:00 GMT 2026-04-09T13:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/207324/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69659 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/99817 Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры Рахматов, А.З. Приведены результаты исследования влияния нейтронного облучения на характер зависимости емкости от запирающего напряжения кремниевой p⁺nn⁺-структуры. Под воздействием нейтронного облучения дозой 3⋅10¹⁵ н/см² обнаружено увеличение исходной толщины слоя объемного заряда p⁺n-перехода в два с половиной раза, что объясняется образованием i-слоя у границы с p⁺n-переходом. При этом достижение заданной напряженности электрического поля после облучения достигается при напряжениях в два раза больших, в результате уменьшается емкость структуры и время включения ограничительного диода.; Наведено результати дослідження впливу нейтронного опромінення на характер залежності ємності від замикаючої напруги кремнієвої p⁺nn⁺-структури. Під впливом нейтронного опромінення дозою 3⋅10¹⁵ н/см² виявлене збільшення вихідної товщини шару об’ємного заряду p⁺n-переходу у два з половиною рази, що пояснюється утворенням і-шару в границі з p⁺n- переходом. При цьому досягнення заданої напруженості електричного поля після опромінення досягається при напругах у два рази більших, у результаті зменшується ємність структури та час включення обмежувального діода.; The results of research of the influence of neutron irradiation on the dependence of the capacitance on the reverse voltage of silicon p⁺nn⁺-structure are given. Under the influence of neutron irradiation dose of 3·10¹⁵ n/cm² is found the expansion of initial thickness of the p⁺n-junction’s space charge – two and a half times, which is explained with formation of i-layer near the border of p⁺n-junction. While achieving a given electric field strength after exposure achieved with twice higher voltages. As a result is reduced the capacitance of the structure and turn-on time of the transient voltage suppressor. Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/99817 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/99816 Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника Мирсагатов, Ш.А.; Атабоев, О.К.; Заверюхин, Б.Н. На основе соединений A²B⁶ создана пленочная In-n⁺(CdS)-n(CdSx Te1-x)-p(Znx Cd1-xTe)-Mo-структура фоточувствительная в диапазоне длин волн λ = 0,49–0,855 мкм при комнатных температурах. Новизной в устройстве является наличие твердых растворов соединений A²B⁶, что позволяет расширить диапазон спектральной чувствительности. При пропускном направлении тока (когда положительный потенциал “+V” приложен к Мо-контакту) структура ведет себя как фотоприемник с инверсией знака фототока I(λ) способного без помех эффективно регистрировать длины волн видимой области спектра. При обратных направлениях фототока структура работает в режиме внутреннего усиления первичного фототока и представляет собой основу для создания инжекционного фотоприемника с высокой спектральной фоточувствительностью в видимой области спектра. Выявлены механизмы усиления и инверсии фототока.; На основіз’єднань A²B⁶ створена плівкова Іn-n⁺ (CdS)-n(CdSx Te1-x)-p(Znx Cd1-xTe)-Mo-структура фоточутлива в діапазоні довжин хвиль λ = 0,49-0,855 напівтемних при кімнатних температурах. Новизною в пристрої є наявність твердих розчинів з’єднань A²B⁶, що дозволяє розширити діапазон спектральної чутливості. При пропускному напрямку струму (коли позитивний потенціал “+V” прикладений до Мо-контакту) структура поводиться як фотоприймач із інверсією знака фотоструму I(λ) здатного без перешкод ефективно реєструвати довжини хвиль видимої області спектра. При зворотних напрямках фотоструму структура працює в режимі внутрішнього посилення первинного фотоструму і являє собою основу для створення инжекционного фотоприймача з високою спектральною фоточутливістю у видимій області спектра. Виявлено механізми посилення й інверсії фотоструму.; Photosensitive film structure of A²B⁶ compounds In-n⁺(CdS)-n(CdSx Te1-x)-p(Znx Cd1-xTe)-Mois created for wave range λ = 0,49-0,855 јm and for work at room temperatures. Novelty of the de-vice is presence of solid solutions A²B⁶, that allows to expand its spectral sensitivity range. The structure behaves as the photoreceivers with inversion of mark of photocurrent I(λ) if positive potential “+V” is enclosed to Мо- to contact. The inversion structure capable effectively to register without handicapes different waves of the visible spectral range. The structure increases a primary photocurrent at reverse bias, when potential “−V” is applied to Mo- contact. In this case the structure is a basis for creation of injection photoreceiver, which has high spectral photosensitivity in the visible spectral range. Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/99816 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/99815 Структура пористих вуглецевих матеріалів згідно методу адсорбції/десорбції азоту Мандзюк, В.І.; Лісовський, Р.П.; Нагірна, Н.І.; Рачій, Б.І. Досліджено зміни пористої структури вуглецевого матеріалу, отриманого методом гідротермальної карбонізації рослинної сировини (кісточки абрикосу) в інтервалі температур 873 ÷ 1373 К. Встановлено, що вуглецевий матеріал володіє розвиненою пористою структурою, сформованою мікро- і мезопорами. Зростання температури карбонізації призводить до зменшення кількості обох типів пор та збільшення відносної частки мезопор щодо загального об’єму пор.; Исследованы изменения пористой структуры углеродного материала, полученного методом гидротермальной карбонизации растительного сырья (косточки абрикоса) в интервале температур 873 ÷1373 К. Установлено, что углеродный материал обладает развитой пористой структурой, сформированной микро- и мезопорами. Рост температуры карбонизации приводит к уменьшению количества обоих типов пор и увеличению относительной доли мезопор относительно общего объема пор.; The changes of porous structure of the carbon material, got by the hydrothermal carbonization method of plant raw material (apricot stones) in the temperature interval of 873 ÷ 1373 К, are explored. It is set, that carbon material owns the developed porous structure, formed micro- and mesopores. The growth of carbonization temperature results in reduction of amount of both types of pores and increase of relative part of mesopores in relation to the general pore volume. Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/99815 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/99814 Вплив іонного бомбардування і шорсткості вихідної поверхні на оптичні параметри аморфних металевих сплавів Карпуша, В.Д.; Швець, У.С. У роботі досліджувався вплив бомбардування низькоенергетичними іонами аргону на оптичні властивості аморфних металевих сплавів Ni₄₀Fe₄₀B₂₀ та Ni₄₀Fe₅₀B₁₀ в діапазоні довжин хвиль волн λ = 500⋅10⁻⁶ – 1250⋅10⁻⁶ м. У результаті еліпсометричних вимірювань та вирішення оберненої задачі еліпсометрії встановлені оптичні характеристики сплавів. Показано, що бомбардування поверхні аморфних сплавів низькоенергетичними іонами призводить до зменшення оптичної товщини поверхневого шару. Виявлено, що “підкладки” різних за первинним станом поверхонь після полірування мають, практично, однакові показники поглинання ізаломлення.; В работе исследовалось влияние бомбардировки низкоэнергетическими ионами аргона на оптические свойства аморфных металлических сплавов Ni₄₀Fe₄₀B₂₀ и Ni₄₀Fe₅₀B₁₀ в диапазоне длин волн λ = 500⋅10⁻⁶ – 1250⋅10⁻⁶ м. В результате эллипсометрических измерений и решения обратной задачи эллипсометрии установлены оптические характеристики сплавов. Показано, что бомбардировка поверхности аморфных сплавов низкоэнергетичными ионами приводит к уменьшению оптической толщины поверхностного слоя. Выявлено, что “подложки”, различные по первичному состоянию поверхностей, после полировки имеют, практически, одинаковые показатели поглощения и преломления.; In the present work the influence of bombardment of low energy argon ions on optical properties of metal alloys Ni₄₀Fe₄₀B₂₀ and Ni₄₀Fe₅₀B₁₀ has been investigated in the range of wavelengths from λ = 500⋅10⁻⁶ to λ = 1250⋅10⁻⁶ m. On the basis of ellipsometric measurements and inverse ellipsometry problem solution the alloys optical characteristics have been determined. It is shown that, bombardment of the amorphous alloys by low energy ions leads to decrease in optical thickness of the surface layer. It is found, that “substrates” having different surfaces after polishing have the same reflection and refraction indices. Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/99814 2013-01-01T00:00:00Z