http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69656 Thu, 09 Apr 2026 20:17:43 GMT 2026-04-09T20:17:43Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/207320/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69656 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98978 Structural transformation in C/Si multilayer after annealing Zhuravel, I.O.; Bugayev, Ye.A.; Konotopsky, L.E.; Zubarev, E.M.; Sevryukova, V.A.; Kondratenko, V.V. Amorphous C/Si multilayers were prepared by DC magnetron sputtering technique and investigated by transmission electron microscopy and low-angle x-ray diffraction methods after annealing at 650 and 950 °C. The amorphous interlayers of 0.5 − 0.6 nm thick were found at C/Si and Si/C interfaces being of different density and composition. Amorphous structure of the multilayer is stable up to 950 °C when crystallization of α-SiC occurs and voids form in α-Si layer.; Изготовленные методом прямоточного магнетронного распыления аморфные многослойные композиции C/Si были исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии и малоугловой рентгеновской дифракции после отжигов при температуре 650 и 950 °C. На границах раздела C/Si и Si/C обнаружены аморфные перемешанные зоны толщиной 0.5 – 0.6 нм c различными плотностью и составом. Аморфная структура многослойной композиции стабильна вплоть до 950 °C, когда наблюдается формирование пор в слоях α-Si и кристаллизация α-SiC.; Виготовлені методом прямоточногомагнетронного розпилення аморфні багатошарові композиції C/Si було досліджено методами просвічувальної електронної мікроскопії та малокутової рентгенівської дифракції після відпалу при температурі 650 і 950 °C. На межах поділу C/Si та Si/C виявлені аморфні перемішані зони різної густини та складу завтовшки 0.5 – 0.6 нм. Аморфна структура багатошарової композиції є стабільною до 950 °C, коли спостерігається формування пор у шарах α-Si у та кристалізація α-SiC. Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98978 2012-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98977 Homogeneity estimation morphometric model for particle distribution on example of SiC deposited on multilayer structure Fe/NiP Komenda, T.; Korovytskyy, A.; Misyuk, S. The theoretical justification of the distribution for particles/defects homogeneity estimation criterion was done. The mathematical model was created on this basis and its object-oriented implementation was realized. It is shown that the use of object-oriented programming allows getting a sufficient clearness and simplicity of an object’s general mathematical model, displaying in it as the object properties so and methods by which the model can operate. Adequacy of the proposed model and research method was verified experimentally on samples of silicon carbide SiC deposited on the multilayer structure of Fe/NiP.; Здійснено теоретичне обґрунтування критерію для оцінки гомогенності розподілу часток/дефектів. На його основі створена математична модель і побудована її об’єктно-орієнтована реалізація. Показано, що використання об’єктно-орієнтованого програмування дозволяє з достатньою наочністю і простотою створити загальну математичну модель об’єкта, відобразивши в ній як властивості самого об’єкта, так і методи, якими він може оперувати. Адекватність запропонованої моделі та методу дослідження була перевірена експериментально на зразках карбіду кремнію SiC депонованого на багатошарову структуру Fe/NiP.; Осуществлено теоретическое обоснование критерия для оценки гомогенности распределения частиц/дефектов. На его основе создана математическая модель и построена ее объектно-ориентированная реализация. Показано, что использование объектно-ориентированного программирования разрешает с достаточной наглядностью и простотой создать общую математическую модель объекта, отобразив в ней как свойства самого объекта, так и методы, которыми он может оперировать. Адекватность предложенной модели и метода исследования была проверена экспериментально на образцах карбида кремния SiC депонированного на многослойную структуру Fe/NiP. Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98977 2012-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98976 Magnetic structure of subsurface layers of single crystalline yttrium-iron garnet films implanted with Si+ ions with various energies Pylypiv, V.M.; Garpul, О.Z.; Kotsyubynsky, V.O.; Ostafiychuk, B.K.; Mokliak, V.V.; Kopcewicz, M.; Syvorotka, І.І. Findings from the investigation of subsurface layers of epitaxial single crystalline yttrium-iron garnet Y₃Fe₅O₁₂ films implanted with Si* ions with the dose of 5.10¹³ cm⁻² and energies of 100 - 150 keV using conversion electron Mossbauer spectroscopy are presented and the comparison with previously obtained results from simulations and x-ray diffractometry studies is carried out. The analysis of profiles and the integral lattice disorder in the subsurface layers confirms the validity of theoretical models used in this work.; Висновки з дослідження підповерхневих шарів епітаксіального монокристалічного залізо-ітрієві граната Y₃Fe₅O₁₂ плівок імплантовані іонами Si* з дозою 5.10¹³ см⁻² і енергій 100 - 150 кеВ за допомогою перетворення електронної месбауерівської спектроскопії представлені і порівняння з раніше отриманими результати моделювання і досліджень рентгенівської дифрактометрії здійснюється. Аналіз профілів і інтегральної невпорядкованості решітки в приповерхневих шарах підтверджує правильність теоретичних моделей, що використовуються в даній роботі.; Выводы из исследования подповерхностных слоев эпитаксиального монокристаллического железо-иттриевого граната Y₃Fe₅O₁₂ пленок имплантированы ионами Si* с дозой 5.10¹³ см⁻² и энергий 100 - 150 кэВ с помощью преобразования электронной мессбауэровской спектроскопии представлены и сравнения с ранее полученными результаты моделирования и исследований рентгеновской дифрактометрии осуществляется. Анализ профилей и интегральной неупорядоченности решетки в приповерхностных слоях подтверждает правильность теоретических моделей, используемых в данной работе. Remove selected Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98976 2012-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98975 Principles of multilayer functional coatings creation by combined deposition methods Drobyshevskaya, А.А. The physical principles of the multilayer coatings formation by applying of combined deposition methods of different thickness layers − plasma-detonation and ion-plasma are developed. This method of composite coatings creating will allow receiving coatings with new properties and thus to improve of product performance.; Разработаны физические принципы формирования многослойных покрытий путем применения комбинированных методов нанесения разных по толщине слоев – плазменно-детонационного и ионно-плазменного. Рассматриваемый метод создания комбинированных покрытий позволит получать покрытия с новыми свойствами и тем самым повысить эксплуатационные характеристики изделий.; Розроблено фізичні принципи формування багатошарових покриттів шляхом застосування комбінованих методів нанесення різних за товщиною шарів – плазмово-детонаційного та іонноплазмового. Метод створення комбінованих покриттів, що розглядається, дозволить отримувати покриття з новими властивостями та тим самим підвищити експлуатаційні характеристики виробів. Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98975 2012-01-01T00:00:00Z