http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69655 Thu, 09 Apr 2026 18:41:54 GMT 2026-04-09T18:41:54Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/207319/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69655 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98964 Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения Абдулхаев, О.А.; Гиясова, Ф.А.; Ёдгорова, Д.М.; Каманов, Б.М.; Каримов, А.В. Проведены исследования функциональных характеристик полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах и схемах включения. Экспериментально установлено, что максимальные значения токов стока при соединении двух транзисторов от интенсивности излучения изменяются по квадратичному закону, а фоточувствительность становится больше по сравнению с дискретной структурой. При этом максимальные значения токов стока соответствующие световым токам дискретных транзисторов от прямосмещающего напряжения изменяются по квадратичному закону и являются продолжением темновой передаточной характеристики, что делает возможным их использование в качестве фотоприемников в электронных схемах. В последовательно соединенных полевых транзисторах модулируемый переход, как и в двухбарьерных структурах, управляет параметрами второго перехода за счет перераспределения напряжения приложенного от внешнего источника питания.; Проведено дослідження функціональних характеристик польового транзистора з керуючим р-n-переходом при різних режимах і схемах включення. Експериментально встановлено, що максимальні значення струмів стоку при сполуці двох транзисторів від інтенсивності випромінювання змінюються за квадратичним законом, а фоточутливість стає більшою в порівнянні, с дискретною структурою. При цьому максимальнізначення струмів стоку відповідним світловим струмам дискретних транзисторів від прямозміщеної напруги змінюються за квадратичним законом і є продовженням темнової передатної характеристики, що уможливлює їхнє використання як фотоприймачів у електронних схемах. У послідовно з’єднаних польових транзисторах моделюючий перехід, як і у двохбар’єрних структурах, управляє параметрами другого переходу за рахунок перерозподілу напруги прикладеного від зовнішнього джерела живлення.; The functional characteristics of junction field-effect transistor were researched at different bias polarities and schemes of inclusion. It was established experimentally that the maximum value of drain current when two transistors were connected varies in a quadratic law with the radiation intensity, and photosensitivity becomes more than in a discrete structure. In this case the maximum values of drain current corresponding to the light currents of discrete transistors by forward voltage vary in a quadratic law and they are a continuation of the transfer characteristics in dark, which makes possible their use as photodetectors in electronic circuits. In the series-connected field-effect transistors modulated junction, as in the two-barrier structures, controls the parameters of the second junction due to redistribution of the voltage applied from an external power source. Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98964 2012-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98963 Фототранзистор составной на полевых транзисторах Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А.; Каманов, Б.М.; Гиясова, Ф.А. Экспериментально установлено, что в составном полевом транзисторе, где сток первого транзистора соединен со стоком второго транзистора, а исток присоединен к затвору с последовательно соединенным резистором, при освещении канала стокового транзистора ток инжекции через переход затвора увеличивается за счет генерированных фотоносителей, что и приводит к увеличению тока стока. В случае возбуждения затворного транзистора фотогенерированные в p-n-переходе затвора неосновные носители приводят к падению напряжения на резисторе. В результате осуществляется добавка напряжения к затвору стокового транзистора, что приводит к уменьшению тока стока. Такой составной полевой транзистор может быть использован в оптических переключателях.; Експериментально встановлено, що в складеному польовому транзисторі, де стік першого транзистора з’єднаний зі стоком другого транзистора, а джерело приєднане до затвору з послідовно з’єднаним резистором, при освітленні каналу стокового транзистора струм інжекції через перехід затвора збільшується за рахунок генерованих фотоносіїв, що й призводить до збільшення струму стоку. У випадку порушення затворного транзистора фотогенеровані в p-n-переході затвору неосновні носії призводять до спадання напруги на резисторі. У результатіздійснюється додання напруги до затвору стокового транзистора, що призводить до зменшення струму стоку. Такий складений польовий транзистор може бути використаний в оптичних перемикачах.; Experimentally is established that in the compound field-effect transistor, where the drain of the first transistor is connected to the drain of the second transistor, a source is connected to the gate with a resistor which is connected in series, in light of the transistor channel injection current through the gate junction increases due to the generated photocarriers, which leads to an increase in drain current. In the case of excitation of the gate transistor photogenerated in the p-n-junction minority carriers leads to a voltage drop across the resistor. In the result a voltage is added to the gate of the transistor in the drain, which reduces the drain current. Such a compound field-effect transistor can be used in optical switches. Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98963 2012-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98962 Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний Гулямов, Г.; Шарибаев, Н.Ю. Исследовано влияние температурного уширения энергетических состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Моделированием процесса теплового уширения, численным анализом установлено, что коэффициент температурного изменения ширины запрещенной зоны зависит от энергетической плотности состояний и присутствия дискретных уровней в запрещенной зоне. Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментальными данными.; Досліджено вплив температурного розширення енергетичних станів на температурну залежність ширини забороненої зони напівпровідника. Моделюванням процесу теплового розширення, числовим аналізом установлено, що коефіцієнт температурного змінювання ширини забороненої зони залежить від енергетичної щільності станів і присутності дискретних рівнів у забороненій зоні. Результати розрахунків добре погоджуються з експериментальними даними.; The effect of thermal broadening of energy states in the temperature dependence of the band gap of the semiconductor. Simulation of the thermal broadening, the numerical analysis showed that the rate of temperature change in the band gap depends on the energy density of states and the presence of discrete levels in the forbidden zone. The calculation results are in good agreement with experimental data. Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98962 2012-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98961 Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия Кирилаш, А.И.; Симченко, С.В.; Кидалов, В.В. Исследовано применение пористых слоев арсенида галлия в качестве антиотражающего покрытия для солнечных элементов. С помощью пористых слоев удалось снизить поверхностное отражение, расширить диапазон спектральной чувствительности и тем самым получить возрастание тока короткого замыкания фотопреобразователей на основе арсенида галлия.; Досліджено використання поруватого шару арсеніду галію в якості антивідбиттєвого покриття для сонячних елементів. За допомогою поруватих шарів удалося зменшити поверхневе відбиття, розширити діапазон спектральної чутливості та тим самим отримати зростання струму короткого замикання фотоперетворювачів на основі арсеніду галію.; Investigated the use of porous layers of gallium arsenide as the anti-reflective coatings for solar cells. With the help of porous layers could reduce the surface reflection, and a increase in short circuit current of solar cells. Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98961 2012-01-01T00:00:00Z