http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51731 Thu, 16 Apr 2026 00:33:42 GMT 2026-04-16T00:33:42Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/153401/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51731 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/56401 Рецензенты номера Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/56401 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/56400 Новые книги Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/56400 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/56399 Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch Яцунский, И.Р. Для получения микро- и наноструктур пористого кремния предлагается использовать метод неэлектролитического травления MacEtch (metal assisted chemical etching). Представлены результаты исследования морфологии структур, полученных при разных параметрах процессов осаждения и травления, и показана возможность их использования в качестве сенсоров газов и биологических объектов.; Для отримання мікро- та наноструктур пористого кремнію пропонується використовувати метод неелектролітичного травлення MacEtch (metal assisted chemical etching). Надано результати дослідження морфології структур, отриманих при різних параметрах процесів осадження і травлення, та показана можливість їх використання як сенсорів газів і біологічних об’єктів.; The author suggests to use the etching method MacEtch (metal-assisted chemical etching) for production of micro- and nanostructures of porous silicon. The paper presents research results on the morphology structures obtained at different parameters of deposition and etching processes. The research has shown that, depending on the parameters of deposition of silver particles and silicon wafers etching, the obtained surface morphology may be different. There may be both individual crater-like pores and developed porous or macroporous surface. These results indicate that the MacEtch etching is a promising method for obtaining micro-porous silicon nanostructures suitable for effective use in gas sensors and biological object sensors. Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/56399 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/56398 Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO—Ag методом ТВЭ-кривых Ляшков, А.Ю. Приведены результаты экспериментальных исследований поверхностных электронных состояний, обусловленных адсорбцией газов на поверхности газочувствительной керамики ZnO—Ag, методом термовакуумных кривых электропроводности. Исследования проводились в интервале температур 300—800 К. Предложена модель, позволяющая оценить глубину залегания уровня Ферми в неоднородных полупроводниковых материалах.; Наведено результати експериментальних досліджень поверхневих електронних станів, обумовлених адсорбцією газів на поверхні газочутливої кераміки ZnO—Ag, методом термовакуумних кривих електропровідності. Дослідження проводилися в температурному інтервалі 300—800 К. Запропоновано модель, що дозволяє оцінити глибину залягання рівня Фермі в неоднорідних напівпровідникових матеріалах.; The ZnO—Ag ceramic system as the material for semiconductor sensors of ethanol vapors was proposed quite a long time ago. The main goal of this work was to study surface electron states of this system and their relation with the electric properties of the material. The quantity of doping with Ag₂O was changed in the range of 0,1–2,0% of mass. The increase of the Ag doping leads to a shift of the Fermi level down (closer to the valence zone). The paper presents research results on electrical properties of ZnO-Ag ceramics using the method of thermal vacuum curves of electrical conductivity. Changes in the electrical properties during heating in vacuum in the temperature range of 300—800 K were obtained and discussed. The increase of Tvac leads to removal of oxygen from the surface of samples The oxygen is adsorbed in the form of O₂⁻ and O⁻ ions and is the acceptor for ZnO. This results in the lowering of the inter-crystallite potential barriers in the ceramic. The surface electron states (SES) above the Fermi level are virtually uncharged. The increase of the conductivity causes desorption of oxygen from the SES settled below the Fermi level of the semiconductor. The model allows evaluating the depth of the Fermi level in the inhomogeneous semiconductor materials. Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/56398 2013-01-01T00:00:00Z