http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51655 Thu, 30 Apr 2026 07:01:49 GMT 2026-04-30T07:01:49Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/153203/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51655 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51673 Новые книги Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51673 2012-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51672 Памятка автору журнала "ТКЭА" Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51672 2012-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51671 Список рецензентов номера Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51671 2012-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51670 Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» Кулинич, О.А.; Яцунский, И.Р.; Ештокина, Т.Ю.; Брусенская, Г.И.; Марчук, И.А. Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом.; Показано можливість використання методу фотолюмінесценції для вивчення механізмів пластичної деформації на границі «оксид кремнію — кремній» в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію деформаційних методом.; The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO₂—Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation. Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51670 2012-01-01T00:00:00Z